SGS5N60RUFDTU Альтернативные части: STGF10NC60KD ,STGF6NC60HD

SGS5N60RUFDTUON Semiconductor

В наличии: 2720

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
46.851607 ₽
46.84 ₽
10
44.199588 ₽
442.03 ₽
100
41.697720 ₽
4,169.78 ₽
500
39.337473 ₽
19,668.68 ₽
1000
37.110783 ₽
37,110.71 ₽

Цена за единицу: 46.851607 ₽

Итоговая цена: 46.84 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSGS5N60RUFDTU	иSTGF10NC60KD	иSTGF6NC60HD
Производитель:	ON Semiconductor	STMicroelectronics	STMicroelectronics
Описание:	IGBT 600V 8A 35W TO220F	In a Pack of 10, STMicroelectronics STGF10NC60KD IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220FP	IGBT 600V 6A 20W TO220FP
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack
Количество контактов	3	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Условия испытания	300V, 5A, 40 Ω, 15V	390V, 5A, 10 Ω, 15V	390V, 3A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Состояние изделия	Obsolete	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	600V	600V
Максимальная потеря мощности	35W	25W	20W
Моментальный ток	5A	9A	6A
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	35W	25W	20W
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V	600V
Максимальный ток сбора	8A	9A	6A
Время обратной рекомпенсации	55ns	22 ns	21 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 5A	2.5V @ 15V, 5A	2.5V @ 15V, 3A
Зарядная мощность	16nC	19nC	13.6nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	15A	30A	21A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	13ns/34ns	17ns/72ns	12ns/76ns
Переключаемый энергопотребление	88μJ (on), 107μJ (off)	55μJ (on), 85μJ (off)	20μJ (on), 68μJ (off)
Состояние RoHS	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Срок поставки от производителя	-	8 Weeks	8 Weeks
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Количество элементов	-	1	1
Время отключения	-	6.5 ns	76 ns
Серия	-	PowerMESH™	PowerMESH™
Код JESD-609	-	e3	e3
Количество выводов	-	3	3
Код ECCN	-	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn)
Основной номер части	-	STGF10	STGF6
Число контактов	-	3	3
Сокетная связка	-	ISOLATED	ISOLATED
Время задержки включения	-	6 ns	12 ns
Применение транзистора	-	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Время подъема	-	6ns	5ns
Полярность/Тип канала	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Код JEDEC-95	-	TO-220AB	TO-220AB
Время включения	-	23 ns	17.3 ns
Время выключения (toff)	-	242 ns	222 ns
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	7V	5.75V
Высота	-	16.4mm	9.3mm
Длина	-	10.4mm	10.4mm
Ширина	-	4.6mm	4.6mm
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	-	No	No
Вес	-	-	2.299997g
Прямоходящий ток коллектора	-	-	6A

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
SGP6N60UFDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT 600V 6A 30W TO220	Для сравнения
SGS6N60UFDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 6A 22W TO220F	Для сравнения
STGF10NC60KD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	In a Pack of 10, STMicroelectronics STGF10NC60KD IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220FP	Для сравнения
STGF6NC60HD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 6A 20W TO220FP	Для сравнения