SGS5N60RUFDTU Альтернативные части: SGS6N60UFDTU ,STGF10NC60KD

SGS5N60RUFDTUON Semiconductor

В наличии: 2720

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
46.851607 ₽
46.84 ₽
10
44.199588 ₽
442.03 ₽
100
41.697720 ₽
4,169.78 ₽
500
39.337473 ₽
19,668.68 ₽
1000
37.110783 ₽
37,110.71 ₽

Цена за единицу: 46.851607 ₽

Итоговая цена: 46.84 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSGS5N60RUFDTU	иSGS6N60UFDTU	иSTGF10NC60KD
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	STMicroelectronics
Описание:	IGBT 600V 8A 35W TO220F	IGBT 600V 6A 22W TO220F	In a Pack of 10, STMicroelectronics STGF10NC60KD IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220FP
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack
Количество контактов	3	3	3
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Условия испытания	300V, 5A, 40 Ω, 15V	300V, 3A, 80 Ω, 15V	390V, 5A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	600V	600V
Максимальная потеря мощности	35W	22W	25W
Моментальный ток	5A	3A	9A
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	35W	22W	25W
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V	600V
Максимальный ток сбора	8A	6A	9A
Время обратной рекомпенсации	55ns	52ns	22 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 5A	2.6V @ 15V, 3A	2.5V @ 15V, 5A
Зарядная мощность	16nC	15nC	19nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	15A	25A	30A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	13ns/34ns	15ns/60ns	17ns/72ns
Переключаемый энергопотребление	88μJ (on), 107μJ (off)	57μJ (on), 25μJ (off)	55μJ (on), 85μJ (off)
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Основной номер части	-	SG*6N60	STGF10
Состояние жизненного цикла	-	-	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Срок поставки от производителя	-	-	8 Weeks
Материал элемента транзистора	-	-	SILICON
Количество элементов	-	-	1
Время отключения	-	-	6.5 ns
Серия	-	-	PowerMESH™
Код JESD-609	-	-	e3
Количество выводов	-	-	3
Код ECCN	-	-	EAR99
Конечная обработка контакта	-	-	Matte Tin (Sn) - annealed
Число контактов	-	-	3
Сокетная связка	-	-	ISOLATED
Время задержки включения	-	-	6 ns
Применение транзистора	-	-	POWER CONTROL
Время подъема	-	-	6ns
Полярность/Тип канала	-	-	N-CHANNEL
Код JEDEC-95	-	-	TO-220AB
Время включения	-	-	23 ns
Время выключения (toff)	-	-	242 ns
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	-	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	-	7V
Высота	-	-	16.4mm
Длина	-	-	10.4mm
Ширина	-	-	4.6mm
REACH SVHC	-	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	-	-	No

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
SGP6N60UFDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT 600V 6A 30W TO220	Для сравнения
SGS6N60UFDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 6A 22W TO220F	Для сравнения
STGF10NC60KD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	In a Pack of 10, STMicroelectronics STGF10NC60KD IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220FP	Для сравнения
STGF6NC60HD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 6A 20W TO220FP	Для сравнения