SGS5N60RUFDTU Альтернативные части: SGP6N60UFDTU ,SGS6N60UFDTU

SGS5N60RUFDTUON Semiconductor

В наличии: 2720

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
46.851607 ₽
46.84 ₽
10
44.199588 ₽
442.03 ₽
100
41.697720 ₽
4,169.78 ₽
500
39.337473 ₽
19,668.68 ₽
1000
37.110783 ₽
37,110.71 ₽

Цена за единицу: 46.851607 ₽

Итоговая цена: 46.84 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSGS5N60RUFDTU	иSGP6N60UFDTU	иSGS6N60UFDTU
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	IGBT 600V 8A 35W TO220F	IGBT 600V 6A 30W TO220	IGBT 600V 6A 22W TO220F
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3	TO-220-3 Full Pack
Количество контактов	3	-	3
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Условия испытания	300V, 5A, 40 Ω, 15V	300V, 3A, 80Ohm, 15V	300V, 3A, 80 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	600V	600V
Максимальная потеря мощности	35W	30W	22W
Моментальный ток	5A	3A	3A
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	35W	30W	22W
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V	600V
Максимальный ток сбора	8A	6A	6A
Время обратной рекомпенсации	55ns	35 ns	52ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 5A	2.6V @ 15V, 3A	2.6V @ 15V, 3A
Зарядная мощность	16nC	15nC	15nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	15A	25A	25A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	13ns/34ns	15ns/60ns	15ns/60ns
Переключаемый энергопотребление	88μJ (on), 107μJ (off)	57μJ (on), 25μJ (off)	57μJ (on), 25μJ (off)
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Поставщик упаковки устройства	-	TO-220-3	-
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	6A	-
Опубликовано	-	2002	-
Максимальная рабочая температура	-	150°C	-
Минимальная температура работы	-	-55°C	-
Основной номер части	-	SG*6N60	SG*6N60
Мощность - Макс	-	30W	-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	-	600V	-

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
SGP6N60UFDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT 600V 6A 30W TO220	Для сравнения
SGS6N60UFDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 6A 22W TO220F	Для сравнения
STGF10NC60KD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	In a Pack of 10, STMicroelectronics STGF10NC60KD IGBT, 9 A 600 V, 3-Pin TO-220FP	Для сравнения
STGF6NC60HD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 6A 20W TO220FP	Для сравнения