SGS13N60UFDTU Альтернативные части: STGF7NC60HD ,FGP20N6S2

SGS13N60UFDTUON Semiconductor

  • SGS13N60UFDTUON Semiconductor
  • STGF7NC60HDSTMicroelectronics
  • FGP20N6S2ON Semiconductor

В наличии: 80275

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    62.849670 ₽

    62.91 ₽

  • 10

    59.292129 ₽

    592.86 ₽

  • 100

    55.935962 ₽

    5,593.54 ₽

  • 500

    52.769780 ₽

    26,384.89 ₽

  • 1000

    49.782816 ₽

    49,782.83 ₽

Цена за единицу: 62.849670 ₽

Итоговая цена: 62.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT 600V 13A 45W TO220F
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
IGBT 600V 28A 125W TO220AB
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3
Количество контактов
3
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
600V
Условия испытания
300V, 6.5A, 50 Ω, 15V
390V, 7A, 10 Ω, 15V
390V, 7A, 25Ohm, 15V
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Ток постоянного напряжения - номинальный
600V
600V
600V
Максимальная потеря мощности
45W
25W
125W
Моментальный ток
6.5A
6A
28A
Основной номер части
SG*13N60
STGF7
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
45W
25W
125W
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
600V
600V
2.7V
Максимальный ток сбора
13A
10A
28A
Время обратной рекомпенсации
55ns
37 ns
-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 6.5A
2.5V @ 15V, 7A
2.7V @ 15V, 7A
Зарядная мощность
25nC
35nC
30nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
52A
50A
40A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
20ns/70ns
18.5ns/72ns
7.7ns/87ns
Переключаемый энергопотребление
85μJ (on), 95μJ (off)
95μJ (on), 115μJ (off)
25μJ (on), 58μJ (off)
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
NRND (Last Updated: 8 months ago)
-
Материал элемента транзистора
-
SILICON
-
Количество элементов
-
1
-
Время отключения
-
72 ns
-
Серия
-
PowerMESH™
-
Код JESD-609
-
e3
-
Количество выводов
-
3
-
Код ECCN
-
EAR99
-
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn) - annealed
-
Число контактов
-
3
-
Сокетная связка
-
ISOLATED
-
Время задержки включения
-
18.5 ns
-
Применение транзистора
-
POWER CONTROL
-
Время подъема
-
8.5ns
4.5ns
Полярность/Тип канала
-
N-CHANNEL
-
Код JEDEC-95
-
TO-220AB
-
Время включения
-
25.5 ns
-
Время выключения (toff)
-
221 ns
-
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
-
20V
-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
-
5.75V
-
Высота
-
9.3mm
-
Длина
-
10.4mm
-
Ширина
-
4.6mm
-
Корпусировка на излучение
-
No
-
Поставщик упаковки устройства
-
-
TO-220-3
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
-
28A
Максимальная рабочая температура
-
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-
-55°C
Мощность - Макс
-
-
125W
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
-
600V