SGS13N60UFDTU Альтернативные части: STGF7H60DF ,STGF7NC60HD

SGS13N60UFDTUON Semiconductor

  • SGS13N60UFDTUON Semiconductor
  • STGF7H60DFSTMicroelectronics
  • STGF7NC60HDSTMicroelectronics

В наличии: 80275

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    62.849670 ₽

    62.91 ₽

  • 10

    59.292129 ₽

    592.86 ₽

  • 100

    55.935962 ₽

    5,593.54 ₽

  • 500

    52.769780 ₽

    26,384.89 ₽

  • 1000

    49.782816 ₽

    49,782.83 ₽

Цена за единицу: 62.849670 ₽

Итоговая цена: 62.91 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT 600V 13A 45W TO220F
IGBT 600V 14A 24W TO-220FP
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3 Full Pack
Количество контактов
3
-
3
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
600V
Условия испытания
300V, 6.5A, 50 Ω, 15V
400V, 7A, 47 Ω, 15V
390V, 7A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~175°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Состояние изделия
Obsolete
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Ток постоянного напряжения - номинальный
600V
-
600V
Максимальная потеря мощности
45W
24W
25W
Моментальный ток
6.5A
-
6A
Основной номер части
SG*13N60
STGF7
STGF7
Конфигурация элемента
Single
-
Single
Распад мощности
45W
-
25W
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
600V
1.95V
600V
Максимальный ток сбора
13A
14A
10A
Время обратной рекомпенсации
55ns
136 ns
37 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 6.5A
1.95V @ 15V, 7A
2.5V @ 15V, 7A
Зарядная мощность
25nC
46nC
35nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
52A
28A
50A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
20ns/70ns
30ns/160ns
18.5ns/72ns
Переключаемый энергопотребление
85μJ (on), 95μJ (off)
99μJ (on), 100μJ (off)
95μJ (on), 115μJ (off)
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
NRND (Last Updated: 8 months ago)
Срок поставки от производителя
-
20 Weeks
-
Код ECCN
-
EAR99
EAR99
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
NOT SPECIFIED
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
NOT SPECIFIED
-
Мощность - Макс
-
24W
-
Тип ИGBT
-
Trench Field Stop
-
Материал элемента транзистора
-
-
SILICON
Количество элементов
-
-
1
Время отключения
-
-
72 ns
Серия
-
-
PowerMESH™
Код JESD-609
-
-
e3
Количество выводов
-
-
3
Конечная обработка контакта
-
-
Matte Tin (Sn) - annealed
Число контактов
-
-
3
Сокетная связка
-
-
ISOLATED
Время задержки включения
-
-
18.5 ns
Применение транзистора
-
-
POWER CONTROL
Время подъема
-
-
8.5ns
Полярность/Тип канала
-
-
N-CHANNEL
Код JEDEC-95
-
-
TO-220AB
Время включения
-
-
25.5 ns
Время выключения (toff)
-
-
221 ns
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
-
-
20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
-
-
5.75V
Высота
-
-
9.3mm
Длина
-
-
10.4mm
Ширина
-
-
4.6mm
Корпусировка на излучение
-
-
No