SGP6N60UFDTUON Semiconductor
В наличии: 869
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
68.563297 ₽
68.54 ₽
10
64.682321 ₽
646.84 ₽
100
61.021058 ₽
6,102.06 ₽
500
57.567033 ₽
28,783.52 ₽
1000
54.308544 ₽
54,308.52 ₽
Цена за единицу: 68.563297 ₽
Итоговая цена: 68.54 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | IGBT 600V 6A 30W TO220 | STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins | IGBT 600V 6A 22W TO220F |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 Full Pack |
Поставщик упаковки устройства | TO-220-3 | - | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V | 600V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 6A | - | - |
Условия испытания | 300V, 3A, 80Ohm, 15V | 390V, 7A, 10 Ω, 15V | 300V, 3A, 80 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Опубликовано | 2002 | - | - |
Состояние изделия | Obsolete | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 600V | 600V | 600V |
Максимальная потеря мощности | 30W | 28W | 22W |
Моментальный ток | 3A | 11A | 3A |
Основной номер части | SG*6N60 | STGF14 | SG*6N60 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 30W | 28W | 22W |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 30W | - | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 600V | 600V |
Максимальный ток сбора | 6A | 11A | 6A |
Время обратной рекомпенсации | 35 ns | 37 ns | 52ns |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 600V | - | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 3A | 2.5V @ 15V, 7A | 2.6V @ 15V, 3A |
Зарядная мощность | 15nC | 34.4nC | 15nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 25A | 50A | 25A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 15ns/60ns | 22.5ns/116ns | 15ns/60ns |
Переключаемый энергопотребление | 57μJ (on), 25μJ (off) | 82μJ (on), 155μJ (off) | 57μJ (on), 25μJ (off) |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | - |
Срок поставки от производителя | - | 8 Weeks | - |
Количество контактов | - | 3 | 3 |
Вес | - | 2.299997g | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Количество элементов | - | 1 | - |
Время отключения | - | 116 ns | - |
Серия | - | PowerMESH™ | - |
Код JESD-609 | - | e3 | - |
Количество выводов | - | 3 | - |
Код ECCN | - | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | - | ULTRA FAST | - |
Число контактов | - | 3 | - |
Сокетная связка | - | ISOLATED | - |
Время задержки включения | - | 22.5 ns | - |
Применение транзистора | - | POWER CONTROL | - |
Время подъема | - | 8.5ns | - |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL | - |
Код JEDEC-95 | - | TO-220AB | - |
Время включения | - | 31.5 ns | - |
Прямоходящий ток коллектора | - | 7A | - |
Время выключения (toff) | - | 340 ns | - |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 20V | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | - | 7V | - |
Высота | - | 9.3mm | - |
Длина | - | 10.4mm | - |
Ширина | - | 4.6mm | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | - | No | - |