SGP6N60UFDTU Альтернативные части: STGF14NC60KD ,SGS6N60UFDTU

SGP6N60UFDTUON Semiconductor

  • SGP6N60UFDTUON Semiconductor
  • STGF14NC60KDSTMicroelectronics
  • SGS6N60UFDTUON Semiconductor

В наличии: 869

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    68.563297 ₽

    68.54 ₽

  • 10

    64.682321 ₽

    646.84 ₽

  • 100

    61.021058 ₽

    6,102.06 ₽

  • 500

    57.567033 ₽

    28,783.52 ₽

  • 1000

    54.308544 ₽

    54,308.52 ₽

Цена за единицу: 68.563297 ₽

Итоговая цена: 68.54 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT 600V 6A 30W TO220
STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
IGBT 600V 6A 22W TO220F
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-220-3
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3 Full Pack
Поставщик упаковки устройства
TO-220-3
-
-
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
600V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
6A
-
-
Условия испытания
300V, 3A, 80Ohm, 15V
390V, 7A, 10 Ω, 15V
300V, 3A, 80 Ω, 15V
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Опубликовано
2002
-
-
Состояние изделия
Obsolete
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура
150°C
-
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
600V
600V
600V
Максимальная потеря мощности
30W
28W
22W
Моментальный ток
3A
11A
3A
Основной номер части
SG*6N60
STGF14
SG*6N60
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
30W
28W
22W
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Мощность - Макс
30W
-
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
600V
600V
600V
Максимальный ток сбора
6A
11A
6A
Время обратной рекомпенсации
35 ns
37 ns
52ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
600V
-
-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 3A
2.5V @ 15V, 7A
2.6V @ 15V, 3A
Зарядная мощность
15nC
34.4nC
15nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
25A
50A
25A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
15ns/60ns
22.5ns/116ns
15ns/60ns
Переключаемый энергопотребление
57μJ (on), 25μJ (off)
82μJ (on), 155μJ (off)
57μJ (on), 25μJ (off)
Состояние RoHS
RoHS Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
-
Срок поставки от производителя
-
8 Weeks
-
Количество контактов
-
3
3
Вес
-
2.299997g
-
Материал элемента транзистора
-
SILICON
-
Количество элементов
-
1
-
Время отключения
-
116 ns
-
Серия
-
PowerMESH™
-
Код JESD-609
-
e3
-
Количество выводов
-
3
-
Код ECCN
-
EAR99
-
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
-
Дополнительная Характеристика
-
ULTRA FAST
-
Число контактов
-
3
-
Сокетная связка
-
ISOLATED
-
Время задержки включения
-
22.5 ns
-
Применение транзистора
-
POWER CONTROL
-
Время подъема
-
8.5ns
-
Полярность/Тип канала
-
N-CHANNEL
-
Код JEDEC-95
-
TO-220AB
-
Время включения
-
31.5 ns
-
Прямоходящий ток коллектора
-
7A
-
Время выключения (toff)
-
340 ns
-
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
-
20V
-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
-
7V
-
Высота
-
9.3mm
-
Длина
-
10.4mm
-
Ширина
-
4.6mm
-
REACH SVHC
-
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
-
No
-