SGP6N60UFDTU Альтернативные части: SGS13N60UFDTU ,STGF14NC60KD

SGP6N60UFDTUON Semiconductor

В наличии: 869

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
68.563297 ₽
68.54 ₽
10
64.682321 ₽
646.84 ₽
100
61.021058 ₽
6,102.06 ₽
500
57.567033 ₽
28,783.52 ₽
1000
54.308544 ₽
54,308.52 ₽

Цена за единицу: 68.563297 ₽

Итоговая цена: 68.54 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSGP6N60UFDTU	иSGS13N60UFDTU	иSTGF14NC60KD
Производитель:	ON Semiconductor	ON Semiconductor	STMicroelectronics
Описание:	IGBT 600V 6A 30W TO220	IGBT 600V 13A 45W TO220F	STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack
Поставщик упаковки устройства	TO-220-3	-	-
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Максимальный коллекторный ток (Ic)	6A	-	-
Условия испытания	300V, 3A, 80Ohm, 15V	300V, 6.5A, 50 Ω, 15V	390V, 7A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Опубликовано	2002	-	-
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная рабочая температура	150°C	-	-
Минимальная температура работы	-55°C	-	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	600V	600V	600V
Максимальная потеря мощности	30W	45W	28W
Моментальный ток	3A	6.5A	11A
Основной номер части	SG*6N60	SG*13N60	STGF14
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	30W	45W	28W
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	30W	-	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V	600V
Максимальный ток сбора	6A	13A	11A
Время обратной рекомпенсации	35 ns	55ns	37 ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	600V	-	-
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 3A	2.6V @ 15V, 6.5A	2.5V @ 15V, 7A
Зарядная мощность	15nC	25nC	34.4nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	25A	52A	50A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	15ns/60ns	20ns/70ns	22.5ns/116ns
Переключаемый энергопотребление	57μJ (on), 25μJ (off)	85μJ (on), 95μJ (off)	82μJ (on), 155μJ (off)
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Количество контактов	-	3	3
Состояние жизненного цикла	-	-	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Срок поставки от производителя	-	-	8 Weeks
Вес	-	-	2.299997g
Материал элемента транзистора	-	-	SILICON
Количество элементов	-	-	1
Время отключения	-	-	116 ns
Серия	-	-	PowerMESH™
Код JESD-609	-	-	e3
Количество выводов	-	-	3
Код ECCN	-	-	EAR99
Конечная обработка контакта	-	-	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	-	-	ULTRA FAST
Число контактов	-	-	3
Сокетная связка	-	-	ISOLATED
Время задержки включения	-	-	22.5 ns
Применение транзистора	-	-	POWER CONTROL
Время подъема	-	-	8.5ns
Полярность/Тип канала	-	-	N-CHANNEL
Код JEDEC-95	-	-	TO-220AB
Время включения	-	-	31.5 ns
Прямоходящий ток коллектора	-	-	7A
Время выключения (toff)	-	-	340 ns
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	-	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	-	7V
Высота	-	-	9.3mm
Длина	-	-	10.4mm
Ширина	-	-	4.6mm
REACH SVHC	-	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	-	-	No

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
SGS6N60UFDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 6A 22W TO220F	Для сравнения
SGS5N60RUFDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 8A 35W TO220F	Для сравнения
SGS13N60UFDTU	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 13A 45W TO220F	Для сравнения
STGF14NC60KD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins	Для сравнения