Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SBC847CWT3G Альтернативные части: UMD22NTR ,PDTC144TE,115
SBC847CWT3GON Semiconductor
В наличии: 5440
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
20.148462 ₽
20.19 ₽
10
19.007967 ₽
190.11 ₽
100
17.932033 ₽
1,793.27 ₽
500
16.917033 ₽
8,458.52 ₽
1000
15.959505 ₽
15,959.48 ₽
Цена за единицу: 20.148462 ₽
Итоговая цена: 20.19 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans GP NPN 45V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 4 Weeks | 13 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SC-75, SOT-416 |
Количество контактов | 3 | 6 | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 45V | 50V | - |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 100mA | - | 100mA |
Количество элементов | 1 | 2 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
Опубликовано | 2007 | 2009 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e2 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | TIN COPPER | Tin (Sn) |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 150mW | - |
Частота | 100MHz | - | - |
Число контактов | 3 | 6 | 3 |
Конфигурация | Single | - | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
Распад мощности | 150mW | 150mW | - |
Полярность/Тип канала | NPN | - | NPN |
Тип транзистора | NPN | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 45V | 300mV | - |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | - |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 420 @ 2mA 5V | 80 @ 10mA 5V | 100 @ 1mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 15nA ICBO | 500nA | 1μA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | 300mV @ 250μA, 5mA | 150mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 100MHz | 250MHz | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | - | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Минимальная частота работы в герцах | - | 80 | - |
Количество выводов | - | 6 | 3 |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 | - |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 | 40 |
Основной номер части | - | *MD22 | PDTC144 |
Направленность | - | NPN, PNP | - |
Конфигурация элемента | - | Dual | - |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Максимальное напряжение разрушения | - | 50V | - |
Частота - Переход | - | 250MHz | - |
База (R1) | - | 4.7k Ω | 47 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | - | -100mA | - |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 47k Ω | - |
Высота | - | 900μm | - |
Длина | - | 2.1mm | - |
Ширина | - | 1.35mm | - |
Поверхностный монтаж | - | - | YES |
Материал элемента транзистора | - | - | SILICON |
Рабочая температура (макс.) | - | - | 150°C |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Код JESD-30 | - | - | R-PDSO-G3 |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Мощность - Макс | - | - | 150mW |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | - | - | 50V |
Максимальная потеря мощности (абс.) | - | - | 0.15W |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC847AT,115 | NXP USA Inc. | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SC-75, SOT-416 | TRANS NPN 45V 0.1A SOT416 | Для сравнения |
| PDTC144WE,115 | NXP USA Inc. | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-75, SOT-416 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 | Для сравнения |
 | UMD22NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | Для сравнения |
| PDTC144TE,115 | NXP USA Inc. | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-75, SOT-416 | TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 | Для сравнения |