Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SBC847BPDW1T3G Альтернативные части: MUN5237DW1T1
SBC847BPDW1T3GON Semiconductor
В наличии: 13645
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
31.661868 ₽
31.59 ₽
10
29.869712 ₽
298.76 ₽
100
28.178970 ₽
2,817.86 ₽
500
26.583874 ₽
13,291.90 ₽
1000
25.079176 ₽
25,079.12 ₽
Цена за единицу: 31.661868 ₽
Итоговая цена: 31.59 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans GP NPN/PNP 45V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | - |
Вес | 7.512624mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 45V | 50V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 100mA | - |
Количество элементов | 2 | 2 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101 | - |
Опубликовано | 2005 | 2005 |
Код JESD-609 | e3 | e0 |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Максимальная потеря мощности | 380mW | 250mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Направленность | NPN, PNP | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Применение транзистора | AMPLIFIER | SWITCHING |
Продуктивность полосы частот | 100MHz | - |
Тип транзистора | NPN, PNP | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 45V | 250mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 2mA 5V | 80 @ 5mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 15nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA | 250mV @ 5mA, 10mA |
Частота перехода | 100MHz | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5V | - |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | Non-RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Contains Lead |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 50V |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 240 |
Код соответствия REACH | - | not_compliant |
Моментальный ток | - | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 30 |
Основной номер части | - | MUN52**DW1T |
Число контактов | - | 6 |
Код JESD-30 | - | R-PDSO-G6 |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified |
Распад мощности | - | 187mW |
База (R1) | - | 47k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | - | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 22k Ω |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MUN5237DW1T1 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | Для сравнения |
 | MUN5212DW1T1 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | Для сравнения |
| MUN5216DW1T1 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | Для сравнения |
| MUN5235DW1T1 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | Для сравнения |