S1FLD-GS08Vishay Semiconductor Diodes Division
В наличии: 27256
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
32.621319 ₽
32.55 ₽
10
30.774863 ₽
307.69 ₽
100
29.032871 ₽
2,903.30 ₽
500
27.389533 ₽
13,694.78 ₽
1000
25.839148 ₽
25,839.15 ₽
Цена за единицу: 32.621319 ₽
Итоговая цена: 32.55 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | VISHAY - S1FLD-GS08 - DIODE, SWITCHING, 200V, 0.7A, SMF | VISHAY - S1FLM-GS08 - Standard Recovery Diode, Switching, 1 kV, 500 mA, Single, 1.1 V, 1.8 µs, 22 A |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | DO-219AB | DO-219AB |
Количество контактов | 2 | 2 |
Материал диодного элемента | SILICON | SILICON |
Количество элементов | 1 | 1 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Код ТН ВЭД | 8541.10.00.80 | 8541.10.00.80 |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | FLAT | FLAT |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Тип диода | Standard | Standard |
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr | 10μA @ 200V | 10μA @ 1000V |
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If | 1.1V @ 1A | 1.1V @ 1A |
Напряжённая мощность | 500mA | 500mA |
Температура работы - переходная | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
Выводная мощность-макс | 1.5A | 1.5A |
Напряжение включения | 1.1V | 1.1V |
Максимальное обратное напряжение (постоянное) | 200V | 1kV |
Средний выпрямленный ток | 700mA | 700mA |
Время обратной рекомпенсации | 1.8 μs | 1.8 μs |
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм) | 200V | 1kV |
Емкость @ Vr, Ф | 4pF @ 4V 1MHz | 4pF @ 4V 1MHz |
Пиковый нерегулярный импульсный ток | 22A | 22A |
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm) | 22A | 22A |
REACH SVHC | Unknown | Unknown |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Максимальное обратное напряжение (Вр) | - | 1000V |
Корпусировка на излучение | - | No |