Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
RN4984,LF(CT Альтернативные части: UMB10NTN
RN4984,LF(CTToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 2810
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
25.905165 ₽
25.96 ₽
10
24.438832 ₽
244.37 ₽
100
23.055495 ₽
2,305.49 ₽
500
21.750453 ₽
10,875.27 ₽
1000
20.519286 ₽
20,519.23 ₽
Цена за единицу: 25.905165 ₽
Итоговая цена: 25.96 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Вес | 6.010099mg | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 80 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2008 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 150mW |
Направленность | NPN, PNP | PNP |
Каналов количество | 2 | - |
Мощность - Макс | 200mW | - |
Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | 80 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz 200MHz | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -10V | -5V |
База (R1) | 47k Ω | 2.2k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | -100mA | -100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47k Ω | 47k Ω |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Количество контактов | - | 6 |
Количество элементов | - | 2 |
Код JESD-609 | - | e2 |
Безоловая кодировка | - | yes |
Количество выводов | - | 6 |
Код ECCN | - | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Copper (Sn/Cu) |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | -50V |
Форма вывода | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 |
Моментальный ток | - | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 |
Основной номер части | - | MB10 |
Число контактов | - | 6 |
Максимальный выходной ток | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | 50V |
Конфигурация элемента | - | Dual |
Распад мощности | - | 300mW |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Частота перехода | - | 250MHz |
Максимальное напряжение на выходе | - | 0.3 V |
Высота | - | 900μm |
Длина | - | 2.1mm |
Ширина | - | 1.35mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | UMB10NTN | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 | Для сравнения |
 | RN1905,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | Для сравнения |
| RN1907,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | Для сравнения |
| RN1906,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | Для сравнения |