RN4606(TE85L,F) Альтернативные части: RN1605TE85LF ,RN1602(TE85L,F)

RN4606(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 100

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
21.329121 ₽
21.29 ₽
10
20.121813 ₽
201.24 ₽
100
18.982843 ₽
1,898.35 ₽
500
17.908338 ₽
8,954.12 ₽
1000
16.894657 ₽
16,894.64 ₽

Цена за единицу: 21.329121 ₽

Итоговая цена: 21.29 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иRN4606(TE85L,F)	иRN1605TE85LF	иRN1602(TE85L,F)
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP NPN 100mA -50V	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R
Срок поставки от производителя	11 Weeks	11 Weeks	11 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-74, SOT-457	SC-74, SOT-457	SC-74, SOT-457
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	80	80	50
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2014	2014	2010
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	300mW	300mW	300mW
Направленность	NPN, PNP	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Тип транзистора	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	50V
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 10mA 5V	80 @ 10mA 5V	50 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100μA ICBO	100nA ICBO	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	200MHz 250MHz	250MHz	250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	5V	10V
База (R1)	4.7k Ω	2.2k Ω	10k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47k Ω	47k Ω	10k Ω
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Количество контактов	-	-	6
Максимальная рабочая температура	-	-	150°C
Минимальная температура работы	-	-	-55°C
Корпусировка на излучение	-	-	No

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
RN4603(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SC-74, SOT-457	Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SM T/R	Для сравнения
DCX124EK-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SC-74, SOT-457	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R	Для сравнения
RN1605TE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SC-74, SOT-457	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Для сравнения
RN1602(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SC-74, SOT-457	Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R	Для сравнения