Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
RN4606(TE85L,F) Альтернативные части: DCX124EK-7-F ,RN1605TE85LF
RN4606(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 100
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
21.329121 ₽
21.29 ₽
10
20.121813 ₽
201.24 ₽
100
18.982843 ₽
1,898.35 ₽
500
17.908338 ₽
8,954.12 ₽
1000
16.894657 ₽
16,894.64 ₽
Цена за единицу: 21.329121 ₽
Итоговая цена: 21.29 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP NPN 100mA -50V | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V |
Срок поставки от производителя | 11 Weeks | 19 Weeks | 11 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 80 | 80 |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2014 | 2008 | 2014 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 300mW | 300mW |
Направленность | NPN, PNP | NPN, PNP | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | 80 @ 5mA 5V | 80 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100μA ICBO | - | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 200MHz 250MHz | 250MHz | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | - | 5V |
База (R1) | 4.7k Ω | 22k Ω | 2.2k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 500nA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47k Ω | 22k Ω | 47k Ω |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Количество контактов | - | 6 | - |
Код JESD-609 | - | e3 | - |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Количество выводов | - | 6 | - |
Код ECCN | - | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | - |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 50V | - |
Форма вывода | - | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | - |
Моментальный ток | - | 100mA | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 | - |
Основной номер части | - | DCX124 | - |
Число контактов | - | 6 | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Каналов количество | - | 2 | - |
Частота перехода | - | 250MHz | - |
Высота | - | 1.3mm | - |
Длина | - | 3.1mm | - |
Ширина | - | 1.7mm | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | - |
Без свинца | - | Lead Free | - |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | RN4603(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SM T/R | Для сравнения |
 | DCX124EK-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R | Для сравнения |
| RN1605TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | Для сравнения |
| RN1602(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R | Для сравнения |