Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
RN2306,LF Альтернативные части: DTA143ZUAT106 ,DTA143ZUBTL
RN2306,LFToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 100
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
12.876648 ₽
12.91 ₽
10
12.147775 ₽
121.43 ₽
100
11.460165 ₽
1,146.02 ₽
500
10.811484 ₽
5,405.77 ₽
1000
10.199505 ₽
10,199.45 ₽
Цена за единицу: 12.876648 ₽
Итоговая цена: 12.91 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin USM Embossed T/R | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 10 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-70, SOT-323 | SC-70, SOT-323 | SC-85 |
Количество контактов | 3 | 3 | 85 |
Поставщик упаковки устройства | USM | - | - |
Вес | 28.009329mg | - | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 100mA | - | - |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 80 | 80 |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2009 | 2012 |
Состояние изделия | Discontinued | Not For New Designs | Not For New Designs |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 200mW | 200mW |
Направленность | PNP | PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Мощность - Макс | 100mW | - | - |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | -50V | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | 80 @ 10mA 5V | 80 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 50V | - | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 200MHz | 250MHz | 250MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | -50V | - | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | -5V | - | - |
База (R1) | 4.7 kOhms | 4.7 k Ω | 4.7 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | -100mA | -100mA | -100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47 kOhms | 47 k Ω | 47 k Ω |
Высота | 900μm | - | - |
Длина | 2mm | - | - |
Ширина | 1.25mm | - | - |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Количество элементов | - | 1 | 1 |
Код JESD-609 | - | e1 | e1 |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Количество выводов | - | 3 | 3 |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | -50V | - |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | FLAT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | 260 |
Моментальный ток | - | -100mA | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 | 10 |
Основной номер части | - | DTA143 | DTA143 |
Число контактов | - | 3 | 3 |
Каналов количество | - | 1 | - |
Распад мощности | - | 200mW | - |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Частота перехода | - | 250MHz | 250MHz |
REACH SVHC | - | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Дополнительная Характеристика | - | - | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 10 |
Код JESD-30 | - | - | R-PDSO-F3 |
Выводной напряжение | - | - | -100mV |
Максимальная частота | - | - | 250MHz |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTA143ZUBTL | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-85 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3F | Для сравнения |
| DTA043ZUBTL | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-85 | TRANS PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F | Для сравнения |
 | RN2304(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin USM T/R | Для сравнения |
 | DTA143ZUAT106 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SC-70, SOT-323 | TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3 | Для сравнения |