RN1966FE(TE85L,F) Альтернативные части: RN1964FE(TE85L,F) ,DDC123JH-7

RN1966FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 4000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
12.578681 ₽
12.64 ₽
500
9.249107 ₽
4,624.59 ₽
1000
7.707555 ₽
7,707.55 ₽
2000
7.071154 ₽
14,142.31 ₽
5000
6.608599 ₽
33,042.99 ₽
10000
6.147486 ₽
61,474.86 ₽
15000
5.945330 ₽
89,179.95 ₽
50000
5.845934 ₽
292,296.70 ₽

Цена за единицу: 12.578681 ₽

Итоговая цена: 12.64 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иRN1966FE(TE85L,F)	иRN1964FE(TE85L,F)	иDDC123JH-7
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Diodes Incorporated
Описание:	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-563, SOT-666	SOT-563, SOT-666	SOT-563, SOT-666
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	80	80	80
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2014	2014	2004
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	100mW	100mW	150mW
Направленность	NPN	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Тип транзистора	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 10mA 5V	80 @ 10mA 5V	80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz	250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	10V	-
База (R1)	4.7k Ω	47k Ω	2.2k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47k Ω	47k Ω	47k Ω
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Срок поставки от производителя	-	-	19 Weeks
Количество контактов	-	-	6
Вес	-	-	3.005049mg
Код JESD-609	-	-	e3
Безоловая кодировка	-	-	yes
Количество выводов	-	-	6
Код ECCN	-	-	EAR99
Конечная обработка контакта	-	-	Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	-	-	150°C
Минимальная температура работы	-	-	-55°C
Код ТН ВЭД	-	-	8541.21.00.75
Форма вывода	-	-	FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	-	40
Основной номер части	-	-	DDC123
Число контактов	-	-	6
Частота перехода	-	-	250MHz
Высота	-	-	600μm
Длина	-	-	1.6mm
Ширина	-	-	1.2mm
Корпусировка на излучение	-	-	No

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DDC123JH-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563	Для сравнения
RN1965FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Для сравнения
DCX123JH-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563	Для сравнения
RN1964FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Для сравнения