RN1963FE(TE85L,F) Альтернативные части: RN4902FE,LF(CT ,RN1966FE(TE85L,F)

RN1963FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 915

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
13.432308 ₽
13.46 ₽
10
12.671937 ₽
126.79 ₽
100
11.954753 ₽
1,195.47 ₽
500
11.278049 ₽
5,639.01 ₽
1000
10.639629 ₽
10,639.56 ₽

Цена за единицу: 13.432308 ₽

Итоговая цена: 13.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иRN1963FE(TE85L,F)	иRN4902FE,LF(CT	иRN1966FE(TE85L,F)
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-563, SOT-666	SOT-563, SOT-666	SOT-563, SOT-666
Материал элемента транзистора	SILICON	-	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	-	2
Минимальная частота работы в герцах	70	50	80
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2014	2014	2014
Состояние изделия	Obsolete	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	100mW	100mW	100mW
Направленность	NPN	NPN, PNP	NPN
Конфигурация элемента	Dual	-	Dual
Тип транзистора	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	70 @ 10mA 5V	50 @ 10mA 5V	80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	500nA	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz 200MHz	250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10V	10V	5V
База (R1)	22k Ω	10kOhms	4.7k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	22k Ω	10kOhms	47k Ω
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Срок поставки от производителя	-	12 Weeks	-
Поставщик упаковки устройства	-	ES6	-
Вес	-	3.005049mg	-
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	100mA	-
Каналов количество	-	2	-
Мощность - Макс	-	100mW	-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	-	50V	-

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DCX144EH-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R	Для сравнения
RN4902FE,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Для сравнения
RN1966FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Для сравнения
RN1964FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Для сравнения