RN1963FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 915
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
13.432308 ₽
13.46 ₽
10
12.671937 ₽
126.79 ₽
100
11.954753 ₽
1,195.47 ₽
500
11.278049 ₽
5,639.01 ₽
1000
10.639629 ₽
10,639.56 ₽
Цена за единицу: 13.432308 ₽
Итоговая цена: 13.46 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 70 | 80 | 80 |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2014 | 2014 | 2014 |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 100mW | 100mW |
Направленность | NPN | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 70 @ 10mA 5V | 80 @ 10mA 5V | 80 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10V | 5V | 10V |
База (R1) | 22k Ω | 4.7k Ω | 47k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 22k Ω | 47k Ω | 47k Ω |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant | RoHS Compliant |