RN1963FE(TE85L,F) Альтернативные части: RN1964FE(TE85L,F) ,DCX144EH-7

RN1963FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 915

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
13.432308 ₽
13.46 ₽
10
12.671937 ₽
126.79 ₽
100
11.954753 ₽
1,195.47 ₽
500
11.278049 ₽
5,639.01 ₽
1000
10.639629 ₽
10,639.56 ₽

Цена за единицу: 13.432308 ₽

Итоговая цена: 13.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иRN1963FE(TE85L,F)	иRN1964FE(TE85L,F)	иDCX144EH-7
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Diodes Incorporated
Описание:	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-563, SOT-666	SOT-563, SOT-666	SOT-563, SOT-666
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	70	80	68
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2014	2014	2007
Состояние изделия	Obsolete	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	100mW	100mW	150mW
Направленность	NPN	NPN	NPN, PNP
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Тип транзистора	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	70 @ 10mA 5V	80 @ 10mA 5V	68 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 500μA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz	250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10V	10V	-
База (R1)	22k Ω	47k Ω	47k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	22k Ω	47k Ω	47k Ω
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant
Срок поставки от производителя	-	-	19 Weeks
Количество контактов	-	-	6
Вес	-	-	3.005049mg
Код JESD-609	-	-	e3
Безоловая кодировка	-	-	yes
Количество выводов	-	-	6
Код ECCN	-	-	EAR99
Конечная обработка контакта	-	-	Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	-	-	150°C
Минимальная температура работы	-	-	-55°C
Дополнительная Характеристика	-	-	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1
Форма вывода	-	-	FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	-	40
Основной номер части	-	-	DCX144
Число контактов	-	-	6
Каналов количество	-	-	2
Частота перехода	-	-	250MHz
Высота	-	-	600μm
Длина	-	-	1.6mm
Ширина	-	-	1.2mm
Корпусировка на излучение	-	-	No

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DCX144EH-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R	Для сравнения
RN4902FE,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Для сравнения
RN1966FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Для сравнения
RN1964FE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Для сравнения