Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
RN1963FE(TE85L,F) Альтернативные части: DCX144EH-7 ,RN4902FE,LF(CT
RN1963FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 915
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
13.432308 ₽
13.46 ₽
10
12.671937 ₽
126.79 ₽
100
11.954753 ₽
1,195.47 ₽
500
11.278049 ₽
5,639.01 ₽
1000
10.639629 ₽
10,639.56 ₽
Цена за единицу: 13.432308 ₽
Итоговая цена: 13.46 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 | SOT-563, SOT-666 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 | - |
Минимальная частота работы в герцах | 70 | 68 | 50 |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2014 | 2007 | 2014 |
Состояние изделия | Obsolete | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 150mW | 100mW |
Направленность | NPN | NPN, PNP | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | - |
Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 70 @ 10mA 5V | 68 @ 5mA 5V | 50 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz | 250MHz 200MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10V | - | 10V |
База (R1) | 22k Ω | 47k Ω | 10kOhms |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 22k Ω | 47k Ω | 10kOhms |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Срок поставки от производителя | - | 19 Weeks | 12 Weeks |
Количество контактов | - | 6 | - |
Вес | - | 3.005049mg | 3.005049mg |
Код JESD-609 | - | e3 | - |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Количество выводов | - | 6 | - |
Код ECCN | - | EAR99 | - |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | - |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1 | - |
Форма вывода | - | FLAT | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 | - |
Основной номер части | - | DCX144 | - |
Число контактов | - | 6 | - |
Каналов количество | - | 2 | 2 |
Частота перехода | - | 250MHz | - |
Высота | - | 600μm | - |
Длина | - | 1.6mm | - |
Ширина | - | 1.2mm | - |
Корпусировка на излучение | - | No | - |
Поставщик упаковки устройства | - | - | ES6 |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | - | 100mA |
Мощность - Макс | - | - | 100mW |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | - | - | 50V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DCX144EH-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R | Для сравнения |
 | RN4902FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | Для сравнения |
| RN1966FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | Для сравнения |
| RN1964FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SOT-563, SOT-666 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V | Для сравнения |