RN1962FE(TE85L,F) Альтернативные части: RN1910FE,LF(CT ,RN4902FE,LF(CT

RN1962FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 3815

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
18.229560 ₽
18.27 ₽
10
17.197665 ₽
171.98 ₽
100
16.224217 ₽
1,622.39 ₽
500
15.305920 ₽
7,653.02 ₽
1000
14.439533 ₽
14,439.56 ₽

Цена за единицу: 18.229560 ₽

Итоговая цена: 18.27 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иRN1962FE(TE85L,F)	иRN1910FE,LF(CT	иRN4902FE,LF(CT
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-563, SOT-666	SOT-563, SOT-666	SOT-563, SOT-666
Материал элемента транзистора	SILICON	-	-
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	-	-
Минимальная частота работы в герцах	50	120	50
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2014	2014	2014
Состояние изделия	Obsolete	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	100mW	100mW	100mW
Код соответствия REACH	unknown	-	-
Направленность	NPN	NPN	NPN, PNP
Конфигурация элемента	Dual	-	-
Тип транзистора	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	50 @ 10mA 5V	120 @ 1mA 5V	50 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz	250MHz 200MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10V	5V	10V
База (R1)	10k Ω	4.7kOhms	10kOhms
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	10k Ω	-	10kOhms
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Срок поставки от производителя	-	12 Weeks	12 Weeks
Поставщик упаковки устройства	-	ES6	ES6
Вес	-	3.005049mg	3.005049mg
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	100mA	100mA
Мощность - Макс	-	100mW	100mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	-	50V	50V
Каналов количество	-	-	2

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DDC114EH-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563	Для сравнения
RN1910FE,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Для сравнения
RN4902FE,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Для сравнения
DDC122LH-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563	Для сравнения