RN1962FE(TE85L,F) Альтернативные части: DDC122LH-7 ,DDC114EH-7

RN1962FE(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 3815

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
18.229560 ₽
18.27 ₽
10
17.197665 ₽
171.98 ₽
100
16.224217 ₽
1,622.39 ₽
500
15.305920 ₽
7,653.02 ₽
1000
14.439533 ₽
14,439.56 ₽

Цена за единицу: 18.229560 ₽

Итоговая цена: 18.27 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иRN1962FE(TE85L,F)	иDDC122LH-7	иDDC114EH-7
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SOT-563, SOT-666	SOT-563, SOT-666	SOT-563, SOT-666
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	50	56	30
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2014	2007	2007
Состояние изделия	Obsolete	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	100mW	150mW	150mW
Код соответствия REACH	unknown	-	-
Направленность	NPN	NPN	NPN
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Тип транзистора	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	50 @ 10mA 5V	56 @ 10mA 5V	30 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 500μA, 10mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	-	-
Частота - Переход	250MHz	200MHz	250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	10V	-	-
База (R1)	10k Ω	220 Ω	10k Ω
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	10k Ω	10k Ω	10k Ω
Состояние RoHS	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Срок поставки от производителя	-	19 Weeks	19 Weeks
Количество контактов	-	6	6
Вес	-	3.005049mg	3.005049mg
Код JESD-609	-	e3	e3
Безоловая кодировка	-	yes	yes
Количество выводов	-	6	6
Код ECCN	-	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	-	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 45.45	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
Код ТН ВЭД	-	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Форма вывода	-	FLAT	FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	40	40
Основной номер части	-	DDC122	DDC114
Число контактов	-	6	6
Частота перехода	-	200MHz	250MHz
Высота	-	600μm	600μm
Длина	-	1.6mm	1.6mm
Ширина	-	1.2mm	1.2mm
Корпусировка на излучение	-	No	No
Максимальная рабочая температура	-	-	150°C
Минимальная температура работы	-	-	-55°C
Максимальный выходной ток	-	-	100mA
Входной напряжение питания	-	-	50V
Без свинца	-	-	Lead Free

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DDC114EH-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563	Для сравнения
RN1910FE,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Для сравнения
RN4902FE,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Для сравнения
DDC122LH-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	SOT-563, SOT-666	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563	Для сравнения