Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
RN1906,LF(CT Альтернативные части: UMD2NTR ,RN4984,LF(CT
RN1906,LF(CTToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 100
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
16.518132 ₽
16.48 ₽
10
15.583146 ₽
155.77 ₽
100
14.701085 ₽
1,470.05 ₽
500
13.868942 ₽
6,934.48 ₽
1000
13.083901 ₽
13,083.93 ₽
Цена за единицу: 16.518132 ₽
Итоговая цена: 16.48 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 13 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Поставщик упаковки устройства | US6 | - | - |
Вес | 6.010099mg | - | 6.010099mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 100mA | - | - |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 56 | 80 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2008 | 2014 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 200mW | 150mW | 200mW |
Направленность | NPN | NPN, PNP | NPN, PNP |
Мощность - Макс | 200mW | - | 200mW |
Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | 56 @ 5mA 5V | 80 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 50V | - | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz | 250MHz 200MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | - | -10V |
База (R1) | 4.7kOhms | 22k Ω | 47k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 30mA | -100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47kOhms | 22k Ω | 47k Ω |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Покрытие контактов | - | Copper, Tin | - |
Количество контактов | - | 6 | - |
Количество элементов | - | 2 | - |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Количество выводов | - | 6 | - |
Код ECCN | - | EAR99 | - |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
Дополнительная Характеристика | - | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | - |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 | - |
Форма вывода | - | GULL WING | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | - |
Моментальный ток | - | 30mA | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 10 | - |
Основной номер части | - | *MD2 | - |
Число контактов | - | 6 | - |
Максимальный выходной ток | - | 100mA | - |
Входной напряжение питания | - | 50V | - |
Конфигурация элемента | - | Dual | - |
Распад мощности | - | 150mW | - |
Применение транзистора | - | SWITCHING | - |
Частота перехода | - | 250MHz | - |
Максимальное напряжение на выходе | - | 0.3 V | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | - | No | - |
Без свинца | - | Lead Free | - |
Каналов количество | - | - | 2 |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | RN4984,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | Для сравнения |
| RN1905,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | Для сравнения |
| RN1907,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6 | Для сравнения |
 | UMD2NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | Для сравнения |