Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
RN1602(TE85L,F) Альтернативные части: RN4603(TE85L,F)
RN1602(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 10590
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
30.702418 ₽
30.77 ₽
10
28.964560 ₽
289.70 ₽
100
27.325055 ₽
2,732.55 ₽
500
25.778324 ₽
12,889.15 ₽
1000
24.319190 ₽
24,319.23 ₽
Цена за единицу: 30.702418 ₽
Итоговая цена: 30.77 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin SM T/R | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SM T/R |
Срок поставки от производителя | 11 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-74, SOT-457 | SC-74, SOT-457 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 50 | 70 |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) |
Опубликовано | 2010 | 2014 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - |
Максимальная потеря мощности | 300mW | 300mW |
Направленность | NPN | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 50 @ 10mA 5V | 70 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 100nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 200MHz 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10V | 10V |
База (R1) | 10k Ω | 22k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10k Ω | 22k Ω |
Корпусировка на излучение | No | - |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Код соответствия REACH | - | unknown |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | RN4603(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SM T/R | Для сравнения |
 | DCX124EK-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SC74R | Для сравнения |
| RN4602TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SM T/R | Для сравнения |
| RN4606(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | SC-74, SOT-457 | Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP NPN 100mA -50V | Для сравнения |