RN1442ATE85LF Альтернативные части: KSC3123YMTF

RN1442ATE85LFToshiba Semiconductor and Storage

  • RN1442ATE85LFToshiba Semiconductor and Storage
  • KSC3123YMTFON Semiconductor

В наличии: 3190

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
Trans Digital BJT NPN 20V 300mA 3-Pin S-Mini T/R
RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
3
Поставщик упаковки устройства
S-Mini
-
Диэлектрический пробой напряжение
20V
20V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
300mA
-
Минимальная частота работы в герцах
200
120
Пакетирование
Cut Tape (CT)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2014
-
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности
200mW
150mW
Направленность
NPN
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Мощность - Макс
200mW
-
Тип транзистора
NPN - Pre-Biased
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
20V
20V
Максимальный ток сбора
300mA
50mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
200 @ 4mA 2V
120 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)
100nA ICBO
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
100mV @ 3mA, 30mA
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
20V
-
Максимальное напряжение разрушения
20V
-
Частота - Переход
30MHz
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
25V
3V
База (R1)
10 kOhms
-
Прямоходящий ток коллектора
300mA
50mA
Состояние RoHS
RoHS Compliant
RoHS Compliant
Рабочая температура
-
150°C TJ
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
20V
Моментальный ток
-
50mA
Частота
-
1.4GHz
Распад мощности
-
150mW
Продуктивность полосы частот
-
1.4 GHz
Увеличение
-
20dB ~ 23dB
Шумовая фигура (дБ тип @ ф)
-
3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
Без свинца
-
Lead Free