RN1106,LF(CT Альтернативные части: RN1107,LF(CT

RN1106,LF(CTToshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 100

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
13.396429 ₽
13.46 ₽
10
12.638146 ₽
126.37 ₽
100
11.922775 ₽
1,192.31 ₽
500
11.247898 ₽
5,623.90 ₽
1000
10.611223 ₽
10,611.26 ₽

Цена за единицу: 13.396429 ₽

Итоговая цена: 13.46 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иRN1106,LF(CT	иRN1107,LF(CT
Производитель:	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
Срок поставки от производителя	12 Weeks	16 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-75, SOT-416	SC-75, SOT-416
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V
Минимальная частота работы в герцах	80	80
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2014	2014
Состояние изделия	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности	100mW	100mW
Направленность	NPN	NPN
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased	NPN - Pre-Biased
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	80 @ 10mA 5V	80 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 250μA, 5mA	300mV @ 250μA, 5mA
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5V	6V
База (R1)	4.7 k Ω	10 kOhms
Прямоходящий ток коллектора	100mA	100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47 k Ω	47 kOhms
Состояние RoHS	RoHS Compliant	RoHS Compliant
Поставщик упаковки устройства	-	SSM
Максимальный коллекторный ток (Ic)	-	100mA
Мощность - Макс	-	100mW
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)	-	50V

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DTC143ZETL	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-75, SOT-416	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3	Для сравнения
RN1105,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-75, SOT-416	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Для сравнения
DTC123JETL	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-75, SOT-416	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3	Для сравнения
RN1107,LF(CT	Toshiba Semiconductor and Storage	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные	SC-75, SOT-416	Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor	Для сравнения