RN1105,LF(CTToshiba Semiconductor and Storage
В наличии: 331
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
24.408420 ₽
24.45 ₽
10
23.026813 ₽
230.22 ₽
100
21.723393 ₽
2,172.39 ₽
500
20.493764 ₽
10,246.84 ₽
1000
19.333791 ₽
19,333.79 ₽
Цена за единицу: 24.408420 ₽
Итоговая цена: 24.45 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-75, SOT-416 | SC-75, SOT-416 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Минимальная частота работы в герцах | 80 | 80 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2014 | 2014 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 100mW |
Направленность | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V | 80 @ 10mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 250μA, 5mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V |
База (R1) | 2.2 k Ω | 4.7 k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47 k Ω | 47 k Ω |
Состояние RoHS | RoHS Compliant | RoHS Compliant |