RJP60D0DPP-M0#T2 Альтернативные части: IRGB4620DPBF ,FGP20N60UFDTU

RJP60D0DPP-M0#T2Renesas Electronics America

  • RJP60D0DPP-M0#T2Renesas Electronics America
  • IRGB4620DPBFInfineon Technologies
  • FGP20N60UFDTUON Semiconductor

В наличии: 4

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    260.011099 ₽

    260.03 ₽

  • 10

    245.293516 ₽

    2,452.88 ₽

  • 100

    231.408915 ₽

    23,140.93 ₽

  • 500

    218.310302 ₽

    109,155.22 ₽

  • 1000

    205.953159 ₽

    205,953.16 ₽

Цена за единицу: 260.011099 ₽

Итоговая цена: 260.03 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT 600V 45A 35W TO-220FL
IGBT 600V 32A 140W TO220
IGBT 600V 40A 165W TO220
Срок поставки от производителя
16 Weeks
16 Weeks
16 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3
TO-220-3
Количество контактов
3
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
600V
Условия испытания
300V, 22A, 5 Ω, 15V
400V, 12A, 22 Ω, 15V
400V, 20A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура
150°C TJ
-40°C~175°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Опубликовано
2011
2013
2008
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности
35W
140W
165W
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
NOT SPECIFIED
-
Основной номер части
RJP60D
-
-
Число контактов
3
-
-
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Мощность - Макс
35W
140W
165W
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
2.2V
1.85V
600V
Максимальный ток сбора
45A
32A
40A
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 22A
1.85V @ 15V, 12A
2.4V @ 15V, 20A
Зарядная мощность
45nC
25nC
63nC
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
35ns/90ns
31ns/83ns
13ns/87ns
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Код ECCN
-
EAR99
EAR99
Конфигурация элемента
-
Single
Single
Полярность/Тип канала
-
N-CHANNEL
N-CHANNEL
Время обратной рекомпенсации
-
68 ns
35 ns
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
-
36A
60A
Переключаемый энергопотребление
-
75μJ (on), 225μJ (off)
380μJ (on), 260μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
-
20V
20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
-
6.5V
6.5V
Высота
-
16.51mm
16.51mm
Длина
-
10.67mm
10.67mm
Ширина
-
4.83mm
4.83mm
REACH SVHC
-
No SVHC
-
Состояние жизненного цикла
-
-
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Покрытие контактов
-
-
Tin
Вес
-
-
1.8g
Материал элемента транзистора
-
-
SILICON
Количество элементов
-
-
1
Время отключения
-
-
87 ns
Безоловая кодировка
-
-
yes
Количество выводов
-
-
3
Код ТН ВЭД
-
-
8541.29.00.95
Время задержки включения
-
-
13 ns
Применение транзистора
-
-
POWER CONTROL
Код JEDEC-95
-
-
TO-220AB
Время включения
-
-
29 ns
Время выключения (toff)
-
-
155 ns
Тип ИGBT
-
-
Field Stop
Время падения максимальное (tf)
-
-
64ns
Корпусировка на излучение
-
-
No
Без свинца
-
-
Lead Free