RJP60D0DPP-M0#T2 Альтернативные части: FGP20N60UFDTU ,STGP20V60F

RJP60D0DPP-M0#T2Renesas Electronics America

  • RJP60D0DPP-M0#T2Renesas Electronics America
  • FGP20N60UFDTUON Semiconductor
  • STGP20V60FSTMicroelectronics

В наличии: 4

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    260.011099 ₽

    260.03 ₽

  • 10

    245.293516 ₽

    2,452.88 ₽

  • 100

    231.408915 ₽

    23,140.93 ₽

  • 500

    218.310302 ₽

    109,155.22 ₽

  • 1000

    205.953159 ₽

    205,953.16 ₽

Цена за единицу: 260.011099 ₽

Итоговая цена: 260.03 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT 600V 45A 35W TO-220FL
IGBT 600V 40A 165W TO220
IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Срок поставки от производителя
16 Weeks
16 Weeks
20 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3
TO-220-3
Количество контактов
3
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
600V
Условия испытания
300V, 22A, 5 Ω, 15V
400V, 20A, 10 Ω, 15V
400V, 20A, 15V
Рабочая температура
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~175°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Опубликовано
2011
2008
-
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Максимальная потеря мощности
35W
165W
167W
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
-
-
Основной номер части
RJP60D
-
STGP20
Число контактов
3
-
-
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Мощность - Макс
35W
165W
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
2.2V
600V
600V
Максимальный ток сбора
45A
40A
40A
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 22A
2.4V @ 15V, 20A
2.2V @ 15V, 20A
Зарядная мощность
45nC
63nC
116nC
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
35ns/90ns
13ns/87ns
38ns/149ns
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Покрытие контактов
-
Tin
-
Вес
-
1.8g
-
Материал элемента транзистора
-
SILICON
-
Количество элементов
-
1
-
Время отключения
-
87 ns
-
Безоловая кодировка
-
yes
-
Количество выводов
-
3
-
Код ECCN
-
EAR99
EAR99
Код ТН ВЭД
-
8541.29.00.95
-
Конфигурация элемента
-
Single
Single
Время задержки включения
-
13 ns
-
Применение транзистора
-
POWER CONTROL
-
Полярность/Тип канала
-
N-CHANNEL
-
Время обратной рекомпенсации
-
35 ns
-
Код JEDEC-95
-
TO-220AB
-
Время включения
-
29 ns
-
Время выключения (toff)
-
155 ns
-
Тип ИGBT
-
Field Stop
Trench Field Stop
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
-
60A
80A
Переключаемый энергопотребление
-
380μJ (on), 260μJ (off)
200μJ (on), 130μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
-
20V
-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
-
6.5V
-
Время падения максимальное (tf)
-
64ns
-
Высота
-
16.51mm
15.75mm
Длина
-
10.67mm
10.4mm
Ширина
-
4.83mm
4.6mm
Корпусировка на излучение
-
No
No
Без свинца
-
Lead Free
-
Распад мощности
-
-
167W