RJP60D0DPP-M0#T2Renesas Electronics America
В наличии: 4
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
260.011099 ₽
260.03 ₽
10
245.293516 ₽
2,452.88 ₽
100
231.408915 ₽
23,140.93 ₽
500
218.310302 ₽
109,155.22 ₽
1000
205.953159 ₽
205,953.16 ₽
Цена за единицу: 260.011099 ₽
Итоговая цена: 260.03 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | IGBT 600V 45A 35W TO-220FL | IGBT 600V 40A 165W TO220 | IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop |
Срок поставки от производителя | 16 Weeks | 16 Weeks | 20 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-220-3 Full Pack | TO-220-3 | TO-220-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V | 600V |
Условия испытания | 300V, 22A, 5 Ω, 15V | 400V, 20A, 10 Ω, 15V | 400V, 20A, 15V |
Рабочая температура | 150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Опубликовано | 2011 | 2008 | - |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 35W | 165W | 167W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - | - |
Основной номер части | RJP60D | - | STGP20 |
Число контактов | 3 | - | - |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 35W | 165W | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 2.2V | 600V | 600V |
Максимальный ток сбора | 45A | 40A | 40A |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 22A | 2.4V @ 15V, 20A | 2.2V @ 15V, 20A |
Зарядная мощность | 45nC | 63nC | 116nC |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 35ns/90ns | 13ns/87ns | 38ns/149ns |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Вес | - | 1.8g | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Количество элементов | - | 1 | - |
Время отключения | - | 87 ns | - |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Количество выводов | - | 3 | - |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Код ТН ВЭД | - | 8541.29.00.95 | - |
Конфигурация элемента | - | Single | Single |
Время задержки включения | - | 13 ns | - |
Применение транзистора | - | POWER CONTROL | - |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL | - |
Время обратной рекомпенсации | - | 35 ns | - |
Код JEDEC-95 | - | TO-220AB | - |
Время включения | - | 29 ns | - |
Время выключения (toff) | - | 155 ns | - |
Тип ИGBT | - | Field Stop | Trench Field Stop |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | - | 60A | 80A |
Переключаемый энергопотребление | - | 380μJ (on), 260μJ (off) | 200μJ (on), 130μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 20V | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | - | 6.5V | - |
Время падения максимальное (tf) | - | 64ns | - |
Высота | - | 16.51mm | 15.75mm |
Длина | - | 10.67mm | 10.4mm |
Ширина | - | 4.83mm | 4.6mm |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Без свинца | - | Lead Free | - |
Распад мощности | - | - | 167W |