Все продукты

Войти

Место отправки: Китай

+852-8177 7669

Главная /Каталог товаров /PSMN012-25YLC,115 Против IRF8707TRPBF /

PSMN012-25YLC,115 Альтернативные части: IRF8707TRPBF ,DMS3015SSS-13

PSMN012-25YLC,115NXP USA Inc.

В наличии:

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Имя контакта

Бизнес электронная почта

Название компании

Страна

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Количество

Скрыть общие атрибуты	иPSMN012-25YLC,115	иIRF8707TRPBF	иDMS3015SSS-13
Производитель:	NXP USA Inc.	Infineon Technologies	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET N-CH 25 V 12.6 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET	MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC	MOSFET MOSFET N-CHAN
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	SC-100, SOT-669	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	33A Tc	11A Ta	11A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния	26W Tc	2.5W Ta	1.55W Ta
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2013	2007	2009
Состояние изделия	Obsolete	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код соответствия REACH	not_compliant	-	-
Число контактов	4	-	8
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	12.6m Ω @ 10A, 10V	11.9m Ω @ 11A, 10V	11.9m Ω @ 11A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	1.95V @ 1mA	2.35V @ 25μA	2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	528pF @ 12V	760pF @ 15V	1276pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	8.3nC @ 10V	9.3nC @ 4.5V	30.6nC @ 10V
Напряжение стока-исток (Vdss)	25V	-	-
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±12V
Дата проверки статуса URL-адреса источника	2013-06-14 00:00:00	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Срок поставки от производителя	-	12 Weeks	7 Weeks
Монтаж	-	Surface Mount	Surface Mount
Количество контактов	-	8	8
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Количество элементов	-	1	1
Время отключения	-	7.3 ns	29.7 ns
Серия	-	HEXFET®	-
Количество выводов	-	8	8
Код ECCN	-	EAR99	EAR99
Сопротивление	-	11.9MOhm	-
Положение терминала	-	DUAL	DUAL
Форма вывода	-	GULL WING	GULL WING
Конфигурация	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Каналов количество	-	1	1
Режим работы	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	-	2.5W	1.55W
Время задержки включения	-	6.7 ns	15.8 ns
Применение транзистора	-	SWITCHING	SWITCHING
Время подъема	-	7.9ns	27.8ns
Время падения (тип)	-	4.4 ns	13.6 ns
Непрерывный ток стока (ID)	-	11A	11A
Пороговое напряжение	-	1.8V	1.5V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	-	20V	20V
Напряжение пробоя стока к истоку	-	30V	30V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	53 mJ	-
Максимальная температура перехода (Тj)	-	150°C	-
Номинальное Vgs	-	1.8 V	-
Высота	-	1.75mm	1.5mm
Длина	-	4.9784mm	4.95mm
Ширина	-	3.9878mm	3.95mm
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	-	No	No
Без свинца	-	Lead Free	Lead Free
Вес	-	-	73.992255mg
Код JESD-609	-	-	e3
Безоловая кодировка	-	-	yes
Конечная обработка контакта	-	-	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	-	-	HIGH RELIABILITY
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	-	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	-	40
Конфигурация элемента	-	-	Single
Характеристика ТРП	-	-	Schottky Diode (Body)

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMG4406LSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO	Для сравнения
IRF8707TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC	Для сравнения
DMS3015SSS-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET MOSFET N-CHAN	Для сравнения
PSMN010-25YLC,115	NXP USA Inc.	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	SC-100, SOT-669	MOSFET N-CH 25 V 10.6 MOHMS LOGIC LEVEL MOSFET	Для сравнения