Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
PMN25EN,115 Альтернативные части: PMPB16XN,115
PMN25EN,115NXP USA Inc.
В наличии: 40
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
10.790563 ₽
10.85 ₽
10
10.179766 ₽
101.79 ₽
100
9.603530 ₽
960.30 ₽
500
9.060000 ₽
4,529.95 ₽
1000
8.547170 ₽
8,547.12 ₽
Цена за единицу: 10.790563 ₽
Итоговая цена: 10.85 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET 30 V, 6.2 A N-CH TRENCH MOSFET | MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SC-74, SOT-457 | 6-UDFN Exposed Pad |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 6.2A Ta | 7.2A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 2.5V 4.5V |
Максимальная мощность рассеяния | 540mW Ta 6.25W Tc | 1.7W Ta 12.5W Tc |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2013 | 2012 |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Число контактов | 6 | 6 |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 23m Ω @ 6.2A, 10V | 21m Ω @ 7.2A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 1.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 492pF @ 15V | 775pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 11nC @ 10V | 10.8nC @ 4.5V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±12V |
Дата проверки статуса URL-адреса источника | 2013-06-14 00:00:00 | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Поверхностный монтаж | - | YES |
Материал элемента транзистора | - | SILICON |
Количество элементов | - | 1 |
Код JESD-609 | - | e3 |
Количество выводов | - | 6 |
Конечная обработка контакта | - | TIN |
Положение терминала | - | DUAL |
Форма вывода | - | NO LEAD |
Нормативная Марка | - | IEC-60134 |
Код JESD-30 | - | S-PDSO-N6 |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE |
Сокетная связка | - | DRAIN |
Применение транзистора | - | SWITCHING |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 7.2A |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.021Ohm |
Максимальный импульсный ток вывода | - | 28A |
Минимальная напряжённость разрушения | - | 30V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMN20EN,115 | NXP USA Inc. | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SC-74, SOT-457 | MOSFET Small Signal MOSFET | Для сравнения |
 | PMPB16XN,115 | NXP USA Inc. | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN | Для сравнения |
 | DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | PMV22EN,215 | NXP USA Inc. | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23 | Для сравнения |