Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
PDTC114ET,235 Альтернативные части: FJV3115RMTF ,DDTC114GCA-7-F
PDTC114ET,235Nexperia USA Inc.
В наличии: 31101
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
14.391758 ₽
14.42 ₽
10
13.577088 ₽
135.71 ₽
100
12.808571 ₽
1,280.91 ₽
500
12.083613 ₽
6,041.76 ₽
1000
11.399615 ₽
11,399.59 ₽
Цена за единицу: 14.391758 ₽
Итоговая цена: 14.42 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | PDTC114ET Series 50V 100 mA SMT NPN Resistor-Equipped Transistor -SOT-23 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R |
Срок поставки от производителя | 4 Weeks | - | 19 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 1.437803g | 30mg | 7.994566mg |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2011 | 2013 | 2008 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -65°C | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.54 | BUILT-IN BIAS RESISTOR |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.95 | 8541.21.00.95 | 8541.21.00.75 |
Максимальная потеря мощности | 250mW | 200mW | 200mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | 40 |
Основной номер части | PDTC114 | FJV3115 | DDTC114 |
Число контактов | 3 | - | 3 |
Максимальный выходной ток | 100mA | - | - |
Входной напряжение питания | 50V | - | - |
Направленность | NPN | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Тип транзистора | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 30 @ 5mA 5V | 33 @ 10mA 5V | 30 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 1μA | 100nA ICBO | 500nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 150mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 230MHz | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Частота - Переход | 230MHz | 250MHz | 250MHz |
База (R1) | 10 k Ω | 2.2 k Ω | - |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10 k Ω | 10 k Ω | 10 k Ω |
Высота | 1mm | 930μm | 1mm |
Длина | 3mm | 2.92mm | 3.05mm |
Ширина | 1.4mm | 1.3mm | 1.4mm |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Состояние жизненного цикла | - | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago) | - |
Минимальная частота работы в герцах | - | 33 | 30 |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 50V | 50V |
Моментальный ток | - | 100mA | 100mA |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | 50V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 10V | - |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FJV3106RMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | Для сравнения |
| FJV3115RMTF | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | DDTC114GCA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
| DDTC143ECA-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 | Для сравнения |