Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
PDTA123JTVL Альтернативные части: DTC125TKAT146 ,MUN2136T1
PDTA123JTVLNexperia USA Inc.
В наличии: 5006
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
15.351209 ₽
15.38 ₽
10
14.482239 ₽
144.78 ₽
100
13.662486 ₽
1,366.21 ₽
500
12.889162 ₽
6,444.64 ₽
1000
12.159602 ₽
12,159.62 ₽
Цена за единицу: 15.351209 ₽
Итоговая цена: 15.38 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 |
Срок поставки от производителя | 4 Weeks | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2009 | 2005 |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | - |
Минимальная температура работы | -65°C | -55°C | - |
Дополнительная Характеристика | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21 | BUILT-IN BIAS RESISTOR | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Максимальная потеря мощности | 250mW | 200mW | 230mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | 260 | 240 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | 10 | 30 |
Основной номер части | PDTA123 | DTC125 | - |
Число контактов | 3 | 3 | 3 |
Конфигурация элемента | Single | Single | - |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Полярность/Тип канала | PNP | - | PNP |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased | NPN - Pre-Biased | PNP - Pre-Biased |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 100mV | 50V | 250mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 100 @ 10mA 5V | 100 @ 1mA 5V | 80 @ 5mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 100nA ICBO | 500nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 100mV @ 250μA, 5mA | 300mV @ 50μA, 500μA | 250mV @ 300μA, 10mA |
Частота перехода | 180MHz | 250MHz | - |
База (R1) | 2.2 k Ω | 200 k Ω | 100 k Ω |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 47 k Ω | - | 100 k Ω |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | Non-RoHS Compliant |
Минимальная частота работы в герцах | - | 100 | - |
Код JESD-609 | - | e1 | e0 |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | TIN SILVER COPPER | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.75 | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 50V | -50V |
Моментальный ток | - | 100mA | -100mA |
Направленность | - | NPN | - |
Частота - Переход | - | 250MHz | - |
Корпусировка на излучение | - | No | - |
Без свинца | - | Lead Free | Contains Lead |
Материал элемента транзистора | - | - | SILICON |
Код соответствия REACH | - | - | not_compliant |
Код JESD-30 | - | - | R-PDSO-G3 |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Конфигурация | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
Мощность - Макс | - | - | 230mW |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTC125TKAT146 | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 | Для сравнения |
 | MUN2136T1 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 | Для сравнения |
 | MUN2111T1 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | TO-236-3 | TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59 | Для сравнения |