Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
PD84006L-E Альтернативные части: PMN34LN,135 ,IRFML8244TRPBF
PD84006L-ESTMicroelectronics
В наличии: 2301
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
1,027.571538 ₽
1,027.61 ₽
10
969.407157 ₽
9,694.09 ₽
100
914.535027 ₽
91,453.57 ₽
500
862.768929 ₽
431,384.48 ₽
1000
813.932885 ₽
813,932.83 ₽
Цена за единицу: 1,027.571538 ₽
Итоговая цена: 1,027.61 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | FET RF 25V 870MHZ | MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP | MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 11 Weeks | - | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | - | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerVDFN | SC-74, SOT-457 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 14 | - | 3 |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Пакетирование | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 3 (168 Hours) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 6 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | MATTE TIN | Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | - |
Минимальная температура работы | -65°C | - | - |
Максимальная потеря мощности | 31W | - | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 225 | NOT SPECIFIED | 260 |
Моментальный ток | 5A | - | - |
Частота | 870MHz | - | - |
Основной номер части | PD84006 | - | - |
Число контактов | 8 | 6 | - |
Код JESD-30 | S-PDSO-N8 | R-PDSO-G6 | - |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 31W | - | 1.25W |
Сокетная связка | SOURCE | - | - |
Ток - испытание | 150mA | - | - |
Применение транзистора | AMPLIFIER | SWITCHING | SWITCHING |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 25V | 20V | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | - | - |
Тип транзистора | LDMOS | - | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 5A | - | 5.8A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 15V | - | 20V |
Увеличение | 15dB | - | - |
Максимальная мощность выхода | 6W | - | - |
Максимальный сливовой ток (ID) | 5A | 5.7A | - |
Напряжение пробоя стока к истоку | 25V | - | 25V |
Выводная мощность | 2W | - | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - |
Напряжение - испытание | 7.5V | - | - |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Вид крепления | - | Surface Mount | Surface Mount |
Поверхностный монтаж | - | YES | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 5.7A Tc | 5.8A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Максимальная мощность рассеяния | - | 1.75W Tc | 1.25W Ta |
Рабочая температура | - | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Серия | - | TrenchMOS™ | HEXFET® |
Опубликовано | - | 1997 | 2008 |
Код ТН ВЭД | - | 8541.29.00.75 | - |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED | 30 |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
Тип ТРВ | - | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | - | 34m Ω @ 2.5A, 10V | 24m Ω @ 5.8A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | - | 2V @ 1mA | 2.35V @ 10μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | - | 500pF @ 20V | 430pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | - | 13.1nC @ 10V | 5.4nC @ 10V |
Угол настройки (макс.) | - | ±15V | ±20V |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.034Ohm | - |
Минимальная напряжённость разрушения | - | 20V | - |
Производитель идентификатор упаковки | - | - | Micro3 |
Время отключения | - | - | 9 ns |
Сопротивление | - | - | 41MOhm |
Время задержки включения | - | - | 2.7 ns |
Время подъема | - | - | 2.1ns |
Время падения (тип) | - | - | 2.9 ns |
Пороговое напряжение | - | - | 1.7V |
Максимальный импульсный ток вывода | - | - | 24A |
Время восстановления | - | - | 17 ns |
Номинальное Vgs | - | - | 1.7 V |
Высота | - | - | 1.02mm |
Длина | - | - | 3.04mm |
Ширина | - | - | 1.4mm |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |
Без свинца | - | - | Lead Free |
Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMN34LN,135 | NXP USA Inc. | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SC-74, SOT-457 | MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP | Для сравнения |
 | IRFML8244TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23 | Для сравнения |
 | PD54003L-E | STMicroelectronics | Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ | 8-PowerVDFN | TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT | Для сравнения |
| PD54008L-E | STMicroelectronics | Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ | 8-PowerVDFN | TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT | Для сравнения |