PD57018-E Альтернативные части: PD57018TR-E ,PD57018STR-E

PD57018-ESTMicroelectronics

В наличии: 380

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
2,941.675385 ₽
2,941.62 ₽
10
2,775.165426 ₽
27,751.65 ₽
100
2,618.080632 ₽
261,808.10 ₽
500
2,469.887363 ₽
1,234,943.68 ₽
1000
2,330.082459 ₽
2,330,082.42 ₽

Цена за единицу: 2,941.675385 ₽

Итоговая цена: 2,941.62 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иPD57018-E	иPD57018TR-E	иPD57018STR-E
Производитель:	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics
Описание:	FET RF 65V 945MHZ PWRSO10	TRANSISTOR RF POWERSO-10	TRANSISTOR RF POWERSO-10
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)	-	-
Срок поставки от производителя	25 Weeks	25 Weeks	25 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad
Количество контактов	3	3	3
Количество элементов	1	1	1
Пакетирование	Tube	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Код JESD-609	e3	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	3 (168 Hours)	3 (168 Hours)	3 (168 Hours)
Количество выводов	2	2	2
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная рабочая температура	165°C	165°C	165°C
Минимальная температура работы	-65°C	-65°C	-65°C
Дополнительная Характеристика	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
Ток постоянного напряжения - номинальный	65V	-	-
Максимальная потеря мощности	31.7W	31.7W	31.7W
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)	250	250	250
Моментальный ток	2.5A	2.5A	2.5A
Частота	945MHz	945MHz	945MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	30	30
Основной номер части	PD57018	PD57018	PD57018
Число контактов	10	10	10
Код JESD-30	R-PDSO-G2	R-PDSO-G2	R-PDSO-F2
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	31.7W	31.7W	31.7W
Сокетная связка	SOURCE	SOURCE	SOURCE
Ток - испытание	100mA	100mA	100mA
Применение транзистора	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
Напряжение стока-исток (Vdss)	65V	65V	65V
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Тип транзистора	LDMOS	LDMOS	LDMOS
Непрерывный ток стока (ID)	2.5A	2.5A	2.5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Максимальная мощность выхода	18W	18W	18W
Напряжение пробоя стока к истоку	65V	65V	65V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Сопротивление стока к истоку	760mOhm	760mOhm	760mOhm
Напряжение - испытание	28V	28V	28V
Минимальная разрушающая напряжение	65V	-	-
Коэффициент усиления мощности	16.5dB	-	-
Высота	3.5mm	-	-
Длина	7.5mm	-	-
Ширина	9.4mm	-	-
Корпусировка на излучение	No	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	-
Конечная обработка контакта	-	MATTE TIN	MATTE TIN
Код соответствия REACH	-	not_compliant	not_compliant
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	Not Qualified
Увеличение	-	16.5dB	16.5dB

Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
PD57018STR-E	STMicroelectronics	Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	TRANSISTOR RF POWERSO-10	Для сравнения
IRF7103TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC	Для сравнения
PD57018TR-E	STMicroelectronics	Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	TRANSISTOR RF POWERSO-10	Для сравнения