Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
PD57018-E Альтернативные части: IRF7103TRPBF ,PD57018TR-E
PD57018-ESTMicroelectronics
В наличии: 380
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
2,941.675385 ₽
2,941.62 ₽
10
2,775.165426 ₽
27,751.65 ₽
100
2,618.080632 ₽
261,808.10 ₽
500
2,469.887363 ₽
1,234,943.68 ₽
1000
2,330.082459 ₽
2,330,082.42 ₽
Цена за единицу: 2,941.675385 ₽
Итоговая цена: 2,941.62 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | TRANSISTOR RF POWERSO-10 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 25 Weeks | 12 Weeks | 25 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
Количество контактов | 3 | 8 | 3 |
Количество элементов | 1 | 2 | 1 |
Пакетирование | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 3 (168 Hours) | 1 (Unlimited) | 3 (168 Hours) |
Количество выводов | 2 | 8 | 2 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Максимальная рабочая температура | 165°C | - | 165°C |
Минимальная температура работы | -65°C | - | -65°C |
Дополнительная Характеристика | HIGH RELIABILITY | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | HIGH RELIABILITY |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 65V | 50V | - |
Максимальная потеря мощности | 31.7W | 2W | 31.7W |
Положение терминала | DUAL | - | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 250 | - | 250 |
Моментальный ток | 2.5A | 3A | 2.5A |
Частота | 945MHz | - | 945MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | - | 30 |
Основной номер части | PD57018 | IRF7103PBF | PD57018 |
Число контактов | 10 | - | 10 |
Код JESD-30 | R-PDSO-G2 | - | R-PDSO-G2 |
Конфигурация элемента | Single | Dual | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 31.7W | 2W | 31.7W |
Сокетная связка | SOURCE | - | SOURCE |
Ток - испытание | 100mA | - | 100mA |
Применение транзистора | AMPLIFIER | SWITCHING | AMPLIFIER |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 65V | - | 65V |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
Тип транзистора | LDMOS | - | LDMOS |
Непрерывный ток стока (ID) | 2.5A | 3A | 2.5A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальная мощность выхода | 18W | - | 18W |
Напряжение пробоя стока к истоку | 65V | 50V | 65V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Сопротивление стока к истоку | 760mOhm | - | 760mOhm |
Напряжение - испытание | 28V | - | 28V |
Минимальная разрушающая напряжение | 65V | - | - |
Коэффициент усиления мощности | 16.5dB | - | - |
Высота | 3.5mm | 1.4986mm | - |
Длина | 7.5mm | 4.9784mm | - |
Ширина | 9.4mm | 3.9878mm | - |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Contains Lead, Lead Free | - |
Вид крепления | - | Surface Mount | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Производитель идентификатор упаковки | - | IRF7103TRPBF | - |
Время отключения | - | 15 ns | - |
Рабочая температура | - | -55°C~150°C TJ | - |
Серия | - | HEXFET® | - |
Опубликовано | - | 1997 | - |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Сопротивление | - | 130mOhm | - |
Интервал строк | - | 6.3 mm | - |
Время задержки включения | - | 5.1 ns | - |
Тип ТРВ | - | 2 N-Channel (Dual) | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | - | 130m Ω @ 3A, 10V | - |
Втс(th) (Макс) @ Id | - | 3V @ 250μA | - |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | - | 290pF @ 25V | - |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | - | 30nC @ 10V | - |
Время подъема | - | 8ns | - |
Время падения (тип) | - | 25 ns | - |
Пороговое напряжение | - | 3V | - |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 3A | - |
Двухпитание напряжения | - | 50V | - |
Время восстановления | - | 100 ns | - |
Характеристика ТРП | - | Standard | - |
Номинальное Vgs | - | 3 V | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | - |
Конечная обработка контакта | - | - | MATTE TIN |
Код соответствия REACH | - | - | not_compliant |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Увеличение | - | - | 16.5dB |
Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PD57018STR-E | STMicroelectronics | Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | TRANSISTOR RF POWERSO-10 | Для сравнения |
 | IRF7103TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | Для сравнения |
 | PD57018TR-E | STMicroelectronics | Транзисторы - FET, MOSFET - РЧ | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | TRANSISTOR RF POWERSO-10 | Для сравнения |