Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
NX3008CBKV,115 Альтернативные части: PMF250XN,115
NX3008CBKV,115Nexperia USA Inc.
В наличии: 30405
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
42.215824 ₽
42.17 ₽
10
39.826223 ₽
398.21 ₽
100
37.571896 ₽
3,757.14 ₽
500
35.445179 ₽
17,722.53 ₽
1000
33.438860 ₽
33,438.87 ₽
Цена за единицу: 42.215824 ₽
Итоговая цена: 42.17 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N/P-CH 30V SOT666 | MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323 |
Срок поставки от производителя | 4 Weeks | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-563, SOT-666 | SC-70, SOT-323 |
Поверхностный монтаж | YES | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 400mA 220mA | 900mA Ta |
Количество элементов | 2 | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | - |
Опубликовано | 2011 | 2014 |
Код JESD-609 | e3 | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | - |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | LOW THRESHOLD | - |
Положение терминала | DUAL | - |
Форма вывода | FLAT | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Число контактов | 6 | 3 |
Код JESD-30 | R-PDSO-F6 | - |
Конфигурация | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - |
Мощность - Макс | 500mW | - |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 1.4 Ω @ 350mA, 4.5V | 300m Ω @ 900mA, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.1V @ 250μA | 1.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 50pF @ 15V | 50pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 0.68nC @ 4.5V | 1.1nC @ 4.5V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | 30V |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - |
Максимальный сливовой ток (ID) | 0.4A | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 30V | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 2.5V 4.5V |
Максимальная мощность рассеяния | - | 275mW Ta 1.065W Tc |
Угол настройки (макс.) | - | ±12V |
Дата проверки статуса URL-адреса источника | - | 2013-06-14 00:00:00 |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMN20EN,115 | NXP USA Inc. | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SC-74, SOT-457 | MOSFET Small Signal MOSFET | Для сравнения |
| PMN25EN,115 | NXP USA Inc. | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SC-74, SOT-457 | MOSFET 30 V, 6.2 A N-CH TRENCH MOSFET | Для сравнения |
 | DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Для сравнения |
 | PMF250XN,115 | NXP USA Inc. | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | SC-70, SOT-323 | MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323 | Для сравнения |