Все продукты

Войти

Место отправки: Китай

+852-8177 7669

Главная /Каталог товаров /NTMFS4851NT1G Против ZXMC3AMCTA /

NTMFS4851NT1G Альтернативные части: ZXMC3AMCTA ,NTMFS4955NT1G

NTMFS4851NT1GON Semiconductor

В наличии: 6680

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Имя контакта

Бизнес электронная почта

Название компании

Страна

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Количество

Скрыть общие атрибуты	иNTMFS4851NT1G	иZXMC3AMCTA	иNTMFS4955NT1G
Производитель:	ON Semiconductor	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL	Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R	Single N-Channel Power MOSFET 30V, 48A, 6mO Power MOSFET 30V 48A 6mOhm Single N-Channel SO-8FL
Состояние жизненного цикла	LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)	-	ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя	34 Weeks	17 Weeks	16 Weeks
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-PowerTDFN, 5 Leads	8-WDFN Exposed Pad	8-PowerTDFN, 5 Leads
Поверхностный монтаж	YES	-	YES
Количество контактов	5	8	5
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	9.5A Ta 66A Tc	2.9A 2.1A	9.7A Ta 48A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 11.5V	-	4.5V 10V
Количество элементов	1	2	1
Максимальная мощность рассеяния	870mW Ta 41.7W Tc	-	920mW Ta 23.2W Tc
Время отключения	18.6 ns	11.3 ns	-
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2009	2010	2012
Код JESD-609	e3	e4	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Obsolete	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	8	5
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Tin (Sn)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Tin (Sn)
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	FLAT	-	FLAT
Число контактов	5	8	5
Конфигурация элемента	Single	-	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.16W	2.45W	2.7W
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN	DRAIN
Время задержки включения	14.4 ns	1.5 ns	-
Тип ТРВ	N-Channel	N and P-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	5.9m Ω @ 30A, 10V	120m Ω @ 2.5A, 10V	6m Ω @ 30A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250μA	3V @ 250μA	2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	1850pF @ 12V	190pF @ 25V	1264pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	20nC @ 4.5V	3.9nC @ 10V	10.8nC @ 4.5V
Время подъема	39.8ns	2.8ns	-
Угол настройки (макс.)	±16V	-	±20V
Время падения (тип)	5.2 ns	7.5 ns	-
Непрерывный ток стока (ID)	15A	2.1A	48A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	16V	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	100A	3.7A	9.7A
Сопротивление открытого канала-макс	0.0087Ohm	-	-
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	-30V	30V
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	RoHS Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Монтаж	-	Surface Mount	-
Сопротивление	-	210mOhm	6MOhm
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY	-
Максимальная потеря мощности	-	1.7W	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	260	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	40	NOT SPECIFIED
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	30V	-
Полярность/Тип канала	-	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	-
Максимальный импульсный ток вывода	-	13A	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
Характеристика ТРП	-	Logic Level Gate	-
Высота	-	780μm	-
Длина	-	3.08mm	-
Ширина	-	2.075mm	-
REACH SVHC	-	No SVHC	-
Код соответствия REACH	-	-	not_compliant

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
NTMFS4821NT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN, 5 Leads	MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL	Для сравнения
NTMFS4C09NT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN	MOSFET T6 LC SO8FL	Для сравнения
ZXMC3AMCTA	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-WDFN Exposed Pad	Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/2.7A Automotive 8-Pin DFN EP T/R	Для сравнения
NTMFS4955NT1G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-PowerTDFN, 5 Leads	Single N-Channel Power MOSFET 30V, 48A, 6mO Power MOSFET 30V 48A 6mOhm Single N-Channel SO-8FL	Для сравнения