Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
NTMFS4821NT1G Альтернативные части: NTMFS4C10NT1G ,NTMFS4C09NT1G
NTMFS4821NT1GON Semiconductor
В наличии: 519
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
107.458462 ₽
107.42 ₽
10
101.375934 ₽
1,013.74 ₽
100
95.637651 ₽
9,563.74 ₽
500
90.224231 ₽
45,112.09 ₽
1000
85.117170 ₽
85,117.17 ₽
Цена за единицу: 107.458462 ₽
Итоговая цена: 107.42 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SO-FL T/R | MOSFET T6 LC SO8FL |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) |
Срок поставки от производителя | 2 Weeks | 16 Weeks | 16 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN | 8-PowerTDFN |
Поверхностный монтаж | YES | YES | YES |
Количество контактов | 5 | 5 | 5 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 8.8A Ta 58.5A Tc | 8.2A Ta | 9A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | - |
Максимальная мощность рассеяния | 870mW Ta 38.5W Tc | 750mW Ta 23.6W Tc | 760mW Ta 25.5W Tc |
Время отключения | 16.6 ns | 14 ns | 20 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2013 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 5 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 10.8MOhm | - | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | FLAT | FLAT | - |
Число контактов | 5 | 5 | 5 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 38.5W | - | - |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN | - |
Время задержки включения | 13.3 ns | 9 ns | 10 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 6.95m Ω @ 30A, 10V | 6.95m Ω @ 30A, 10V | 5.8m Ω @ 30A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 2.2V @ 250μA | 2.1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1400pF @ 12V | 987pF @ 15V | 1252pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 16nC @ 4.5V | 9.7nC @ 4.5V | 10.9nC @ 4.5V |
Время подъема | 38ns | 34ns | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 3.8 ns | 7 ns | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 58.5A | 46A | 52A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 16V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | - | - |
Высота | 1.1mm | 1.05mm | 1.05mm |
Длина | 5.1mm | 6.1mm | 6.1mm |
Ширина | 6.1mm | 5.1mm | 5.1mm |
Корпусировка на излучение | No | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Код соответствия REACH | - | not_compliant | not_compliant |
Каналов количество | - | 1 | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V | 30V |
Пороговое напряжение | - | 2.2V | 2.1V |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 8.2A | - |
Минимальная напряжённость разрушения | - | 30V | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | NOT SPECIFIED |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTMFS4C10NT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SO-FL T/R | Для сравнения |
| NTMFS4C09NT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET T6 LC SO8FL | Для сравнения |
| NTMFS4955NT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN, 5 Leads | Single N-Channel Power MOSFET 30V, 48A, 6mO Power MOSFET 30V 48A 6mOhm Single N-Channel SO-8FL | Для сравнения |
 | DMP32D4SFB-7B | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 3-UFDFN | MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323 | Для сравнения |