Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
NTMFS4821NT1G Альтернативные части: NTMFS4955NT1G ,DMP32D4SFB-7B
NTMFS4821NT1GON Semiconductor
В наличии: 519
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
107.458462 ₽
107.42 ₽
10
101.375934 ₽
1,013.74 ₽
100
95.637651 ₽
9,563.74 ₽
500
90.224231 ₽
45,112.09 ₽
1000
85.117170 ₽
85,117.17 ₽
Цена за единицу: 107.458462 ₽
Итоговая цена: 107.42 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL | Single N-Channel Power MOSFET 30V, 48A, 6mO Power MOSFET 30V 48A 6mOhm Single N-Channel SO-8FL | MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) | - |
Срок поставки от производителя | 2 Weeks | 16 Weeks | 16 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 8-PowerTDFN, 5 Leads | 3-UFDFN |
Поверхностный монтаж | YES | YES | - |
Количество контактов | 5 | 5 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 8.8A Ta 58.5A Tc | 9.7A Ta 48A Tc | 400mA Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 2.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | - |
Максимальная мощность рассеяния | 870mW Ta 38.5W Tc | 920mW Ta 23.2W Tc | 500mW Ta |
Время отключения | 16.6 ns | - | 31.3 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2012 | 2017 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e4 |
Безоловая кодировка | yes | yes | - |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 5 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 10.8MOhm | 6MOhm | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | FLAT | FLAT | - |
Число контактов | 5 | 5 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 38.5W | 2.7W | - |
Сокетная связка | DRAIN | DRAIN | - |
Время задержки включения | 13.3 ns | - | 3.6 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 6.95m Ω @ 30A, 10V | 6m Ω @ 30A, 10V | 2.4 Ω @ 200mA, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 2.2V @ 250μA | 2.3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1400pF @ 12V | 1264pF @ 15V | 51pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 16nC @ 4.5V | 10.8nC @ 4.5V | 1.3nC @ 10V |
Время подъема | 38ns | - | 8.5ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 3.8 ns | - | 20.2 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 58.5A | 48A | 500mA |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 16V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | -30V |
Высота | 1.1mm | - | 480μm |
Длина | 5.1mm | - | 1.08mm |
Ширина | 6.1mm | - | 675μm |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED | 260 |
Код соответствия REACH | - | not_compliant | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED | 30 |
Максимальный сливовой ток (ID) | - | 9.7A | 0.5A |
Монтаж | - | - | Surface Mount |
Каналов количество | - | - | 1 |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | - | 30V |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTMFS4C10NT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 8-Pin SO-FL T/R | Для сравнения |
| NTMFS4C09NT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN | MOSFET T6 LC SO8FL | Для сравнения |
| NTMFS4955NT1G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-PowerTDFN, 5 Leads | Single N-Channel Power MOSFET 30V, 48A, 6mO Power MOSFET 30V 48A 6mOhm Single N-Channel SO-8FL | Для сравнения |
 | DMP32D4SFB-7B | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 3-UFDFN | MOSFET P-CH 30V 400MA SOT323 | Для сравнения |