NSVBC847BLT3GON Semiconductor
В наличии: 18321
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
36.459121 ₽
36.40 ₽
10
34.395440 ₽
343.96 ₽
100
32.448516 ₽
3,244.92 ₽
500
30.611745 ₽
15,305.91 ₽
1000
28.879080 ₽
28,879.12 ₽
Цена за единицу: 36.459121 ₽
Итоговая цена: 36.40 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23 | TRANS PNP 45V 0.1A SC59 | TRANS NPN BIPOLAR 45V SOT23-3 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Срок поставки от производителя | 4 Weeks | - | 4 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | - | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Количество контактов | 3 | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 45V | - | 45V |
Количество элементов | 1 | 1 | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | 150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2009 | 2009 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | - |
Максимальная потеря мощности | 225mW | - | 225mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL | - |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | - |
Нормативная Марка | AEC-Q101 | - | - |
Конфигурация | SINGLE | SINGLE | - |
Мощность - Макс | 225mW | 250mW | 225mW |
Полярность/Тип канала | NPN | PNP | - |
Тип транзистора | NPN | PNP | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600mV | - | 600mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | - | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 200 @ 2mA 5V | 210 @ 2mA 10V | 200 @ 2mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 15nA ICBO | 10nA ICBO | 15nA ICBO |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | 500mV @ 10mA, 100mA | 600mV @ 5mA, 100mA |
Частота перехода | 100MHz | 70MHz | - |
Частота - Переход | 100MHz | 70MHz | 100MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | - | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | - | - |
Корпусировка на излучение | No | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Поверхностный монтаж | - | YES | - |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | - | 100mA | - |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Код ТН ВЭД | - | 8541.21.00.95 | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | - |
Код соответствия REACH | - | unknown | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 | - |
Основной номер части | - | 2PB709A | - |
Число контактов | - | 3 | - |
Код JESD-30 | - | R-PDSO-G3 | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Применение транзистора | - | SWITCHING | - |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | - | 45V | - |
Максимальная потеря мощности (абс.) | - | 0.2W | - |
Максимальное напряжение на выходе | - | 0.5 V | - |
Сопротивление базы-эмиттора макс | - | 5pF | - |