NSVBC847BLT3G Альтернативные части: 2PB709AR,115 ,NSVBC850BLT1G

NSVBC847BLT3GON Semiconductor

  • NSVBC847BLT3GON Semiconductor
  • 2PB709AR,115NXP USA Inc.
  • NSVBC850BLT1GON Semiconductor

В наличии: 18321

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    36.459121 ₽

    36.40 ₽

  • 10

    34.395440 ₽

    343.96 ₽

  • 100

    32.448516 ₽

    3,244.92 ₽

  • 500

    30.611745 ₽

    15,305.91 ₽

  • 1000

    28.879080 ₽

    28,879.12 ₽

Цена за единицу: 36.459121 ₽

Итоговая цена: 36.40 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN 45V 0.1A SOT-23
TRANS PNP 45V 0.1A SC59
TRANS NPN BIPOLAR 45V SOT23-3
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
-
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
Срок поставки от производителя
4 Weeks
-
4 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
-
Монтаж
Surface Mount
-
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов
3
-
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
-
Диэлектрический пробой напряжение
45V
-
45V
Количество элементов
1
1
-
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2009
2009
2009
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
yes
-
yes
Состояние изделия
Active
Obsolete
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
-
Максимальная потеря мощности
225mW
-
225mW
Положение терминала
DUAL
DUAL
-
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
-
Нормативная Марка
AEC-Q101
-
-
Конфигурация
SINGLE
SINGLE
-
Мощность - Макс
225mW
250mW
225mW
Полярность/Тип канала
NPN
PNP
-
Тип транзистора
NPN
PNP
NPN
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
600mV
-
600mV
Максимальный ток сбора
100mA
-
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
210 @ 2mA 10V
200 @ 2mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)
15nA ICBO
10nA ICBO
15nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
500mV @ 10mA, 100mA
600mV @ 5mA, 100mA
Частота перехода
100MHz
70MHz
-
Частота - Переход
100MHz
70MHz
100MHz
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)
50V
-
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
-
-
Корпусировка на излучение
No
-
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Поверхностный монтаж
-
YES
-
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
100mA
-
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
Tin (Sn)
Код ТН ВЭД
-
8541.21.00.95
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
260
-
Код соответствия REACH
-
unknown
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
40
-
Основной номер части
-
2PB709A
-
Число контактов
-
3
-
Код JESD-30
-
R-PDSO-G3
-
Квалификационный Статус
-
Not Qualified
-
Применение транзистора
-
SWITCHING
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
45V
-
Максимальная потеря мощности (абс.)
-
0.2W
-
Максимальное напряжение на выходе
-
0.5 V
-
Сопротивление базы-эмиттора макс
-
5pF
-