Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
NS2029M3T5G Альтернативные части: 2SA2029M3T5G
NS2029M3T5GON Semiconductor
В наличии: 28418
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
16.310659 ₽
16.35 ₽
10
15.387376 ₽
153.85 ₽
100
14.516387 ₽
1,451.65 ₽
500
13.694712 ₽
6,847.39 ₽
1000
12.919574 ₽
12,919.51 ₽
Цена за единицу: 16.310659 ₽
Итоговая цена: 16.35 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723 | TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 2 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-723 | SOT-723 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2007 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Максимальная потеря мощности | 265mW | 265mW |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | FLAT | FLAT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Частота | 140MHz | 140MHz |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Число контактов | 3 | 3 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 265mW | 265mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Продуктивность полосы частот | 140MHz | 140MHz |
Полярность/Тип канала | PNP | PNP |
Тип транзистора | PNP | PNP |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 120 @ 1mA 6V | 120 @ 1mA 6V |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 500mV @ 5mA, 50mA | 500mV @ 5mA, 50mA |
Частота перехода | 140MHz | 140MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 60V | 60V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | 6V |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin |
Минимальная частота работы в герцах | - | 120 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | -50V |
Моментальный ток | - | -100mA |
Без галогенов | - | Halogen Free |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 500pA ICBO |
Высота | - | 550μm |
Длина | - | 1.25mm |
Ширина | - | 850μm |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTA143EM3T5G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-723 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 | Для сравнения |
| DTA114TM3T5G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные, Предварительные Смещенные | SOT-723 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723 | Для сравнения |
| 2SA2029M3T5G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные | SOT-723 | TRANS PNP 50V 0.1A SOT-723 | Для сравнения |