NMSD200B01-7 Альтернативные части: DMN601DWK-7

NMSD200B01-7Diodes Incorporated

В наличии: 2450

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
7.358984 ₽
7.42 ₽
500
5.411016 ₽
2,705.49 ₽
1000
4.509231 ₽
4,509.20 ₽
2000
4.136868 ₽
8,273.76 ₽
5000
3.866209 ₽
19,331.04 ₽
10000
3.596497 ₽
35,964.97 ₽
15000
3.478201 ₽
52,173.08 ₽
50000
3.420055 ₽
171,002.75 ₽

Цена за единицу: 7.358984 ₽

Итоговая цена: 7.42 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иNMSD200B01-7	иDMN601DWK-7
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363	MOSFET Dual N-Channel
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов	6	6
Вес	6.010099mg	6.010099mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	200mA Ta	-
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	5V 10V	-
Количество элементов	1	2
Максимальная мощность рассеяния	200mW Ta	-
Время отключения	40 ns	-
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2008	2007
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes
Состояние изделия	Obsolete	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	60V	60V
Положение терминала	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Моментальный ток	200mA	305mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40
Число контактов	6	6
Конфигурация	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
Каналов количество	1	2
Режим работы	DEPLETION MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	200mW	200mW
Время задержки включения	20 ns	-
Тип ТРВ	N-Channel	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	3 Ω @ 50mA, 5V	2 Ω @ 500mA, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 1mA	2.5V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	50pF @ 25V	50pF @ 25V
Угол настройки (макс.)	±20V	-
Непрерывный ток стока (ID)	200mA	305mA
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V
Максимальный сливовой ток (ID)	0.2A	0.305A
Сопротивление открытого канала-макс	2Ohm	-
Напряжение пробоя стока к истоку	60V	60V
Характеристика ТРП	Schottky Diode (Isolated)	Logic Level Gate
Обратная ёмкость-Макс (Crss)	5 pF	5 pF
Высота	1mm	1mm
Длина	2.2mm	2.2mm
Ширина	1.35mm	1.35mm
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free
Срок поставки от производителя	-	16 Weeks
Покрытие контактов	-	Tin
Завершение	-	SMD/SMT
Сопротивление	-	2Ohm
Дополнительная Характеристика	-	LOW CAPACITANCE
Максимальная потеря мощности	-	200mW
Основной номер части	-	DMN601DWK
Нормативная Марка	-	AEC-Q101
Конфигурация элемента	-	Dual
Пороговое напряжение	-	1.6V
Двухпитание напряжения	-	60V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Номинальное Vgs	-	1.6 V
REACH SVHC	-	No SVHC

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
2N7002DW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363	Для сравнения
DMN601DWK-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	MOSFET Dual N-Channel	Для сравнения
BSS138DW-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DIODES INC. - BSS138DW-7-F - Dual MOSFET, N Channel, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-363, Surface Mount	Для сравнения