NJT4030PT1G Альтернативные части: DMJT9435-13 ,FZT790A

NJT4030PT1GON Semiconductor

В наличии: 952

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
29.319231 ₽
29.26 ₽
10
27.659657 ₽
276.65 ₽
100
26.094011 ₽
2,609.34 ₽
500
24.616992 ₽
12,308.52 ₽
1000
23.223571 ₽
23,223.63 ₽

Цена за единицу: 29.319231 ₽

Итоговая цена: 29.26 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иNJT4030PT1G	иDMJT9435-13	иFZT790A
Производитель:	ON Semiconductor	Diodes Incorporated	ON Semiconductor
Описание:	Trans GP BJT PNP 40V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R	TRANS PNP 30V 3A SOT-223	TRANS PNP 40V 3A SOT223
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)	-	ACTIVE (Last Updated: 14 hours ago)
Срок поставки от производителя	4 Weeks	24 Weeks	10 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	Tin
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA
Количество контактов	4	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	40V	30V	40V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	200	-	300
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2001	2002
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	4	4	4
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	2W	1.2W	2W
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	-
Частота	160MHz	160MHz	100MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	-
Основной номер части	NJT4030	-	FZT790A
Число контактов	4	4	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	2W	2W	2W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
Применение транзистора	AMPLIFIER	SWITCHING	-
Продуктивность полосы частот	160MHz	160MHz	100MHz
Полярность/Тип канала	PNP	PNP	PNP
Тип транзистора	PNP	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	40V	30V	40V
Максимальный ток сбора	3A	3A	3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 1A 1V	125 @ 800mA 1V	300 @ 10mA 2V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	-	100nA ICBO
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	500mV @ 300mA, 3A	550mV @ 300mA, 3A	750mV @ 50mA, 2A
Частота перехода	160MHz	160MHz	100MHz
Максимальное напряжение разрушения	40V	30V	40V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	40V	45V	-50V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	6V	-5V
Высота	1.651mm	1.6mm	1.6mm
Длина	6.6802mm	6.5mm	6.5mm
Ширина	3.7084mm	3.5mm	3.5mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Вес	-	7.994566mg	188mg
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)	-
Код JESD-30	-	R-PDSO-G4	R-PDSO-G4
Мощность - Макс	-	1.2W	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	-	40V
Моментальный ток	-	-	3A

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DJT4030P-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	DIODES INC. DJT4030P-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 150 MHz, 1.2 W, 500 mA, 220 hFE	Для сравнения
BCP5116TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 45V 1A SOT223	Для сравнения
DMJT9435-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 30V 3A SOT-223	Для сравнения
FZT790A	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 40V 3A SOT223	Для сравнения