NJT4030PT1G Альтернативные части: BCP5116TA ,DMJT9435-13

NJT4030PT1GON Semiconductor

В наличии: 952

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
29.319231 ₽
29.26 ₽
10
27.659657 ₽
276.65 ₽
100
26.094011 ₽
2,609.34 ₽
500
24.616992 ₽
12,308.52 ₽
1000
23.223571 ₽
23,223.63 ₽

Цена за единицу: 29.319231 ₽

Итоговая цена: 29.26 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иNJT4030PT1G	иBCP5116TA	иDMJT9435-13
Производитель:	ON Semiconductor	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	Trans GP BJT PNP 40V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R	TRANS PNP 45V 1A SOT223	TRANS PNP 30V 3A SOT-223
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)	-	-
Срок поставки от производителя	4 Weeks	15 Weeks	24 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA	TO-261-4, TO-261AA
Количество контактов	4	4	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	40V	45V	30V
Количество элементов	1	1	1
Минимальная частота работы в герцах	200	100	-
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-65°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2007	2011	2001
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	4	4	4
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	2W	2W	1.2W
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Частота	160MHz	150MHz	160MHz
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	NJT4030	BCP51	-
Число контактов	4	4	4
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	2W	2W	2W
Сокетная связка	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
Применение транзистора	AMPLIFIER	SWITCHING	SWITCHING
Продуктивность полосы частот	160MHz	150MHz	160MHz
Полярность/Тип канала	PNP	PNP	PNP
Тип транзистора	PNP	PNP	PNP
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	40V	45V	30V
Максимальный ток сбора	3A	1A	3A
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	200 @ 1A 1V	100 @ 150mA 2V	125 @ 800mA 1V
Ток - отсечка коллектора (макс)	100nA ICBO	100nA ICBO	-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	500mV @ 300mA, 3A	500mV @ 50mA, 500mA	550mV @ 300mA, 3A
Частота перехода	160MHz	150MHz	160MHz
Максимальное напряжение разрушения	40V	45V	30V
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО)	40V	45V	45V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6V	5V	6V
Высота	1.651mm	1.65mm	1.6mm
Длина	6.6802mm	6.55mm	6.5mm
Ширина	3.7084mm	3.55mm	3.5mm
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Вес	-	7.994566mg	7.994566mg
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY	-
Код JESD-30	-	-	R-PDSO-G4
Мощность - Макс	-	-	1.2W

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DJT4030P-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	DIODES INC. DJT4030P-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 40 V, 150 MHz, 1.2 W, 500 mA, 220 hFE	Для сравнения
BCP5116TA	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 45V 1A SOT223	Для сравнения
DMJT9435-13	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 30V 3A SOT-223	Для сравнения
FZT790A	ON Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Одиночные	TO-261-4, TO-261AA	TRANS PNP 40V 3A SOT223	Для сравнения