Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
NGTB30N65IHL2WG Альтернативные части: IRGP4740DPBF ,IRGP4262D-EPBF
NGTB30N65IHL2WGON Semiconductor
В наличии: 4
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
582.386484 ₽
582.42 ₽
10
549.421195 ₽
5,494.23 ₽
100
518.321854 ₽
51,832.14 ₽
500
488.982912 ₽
244,491.48 ₽
1000
461.304684 ₽
461,304.67 ₽
Цена за единицу: 582.386484 ₽
Итоговая цена: 582.42 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-247 Tube | IGBT 650V TO-247 | IGBT 650V 60A 250W TO247AC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 12 Weeks | - | 15 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | 650V | 650V |
Условия испытания | 400V, 30A, 10 Ω, 15V | 400V, 24A, 10 Ω, 15V | 400V, 24A, 10 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -40°C~175°C TJ | -40°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Опубликовано | 2014 | 2014 | 2013 |
Безоловая кодировка | yes | - | - |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная потеря мощности | 300W | 250W | 250W |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 300W | 250W | 250W |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 650V | 2V | 2.1V |
Максимальный ток сбора | 60A | 60A | 60A |
Время обратной рекомпенсации | 430 ns | 170 ns | 170 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 30A | 2V @ 15V, 24A | 2.1V @ 15V, 24A |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | - | - |
Зарядная мощность | 135nC | 70nC | 70nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 120A | 72A | 96A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | -/145ns | 24ns/73ns | 24ns/73ns |
Переключаемый энергопотребление | 200μJ (off) | 520μJ (on), 240μJ (off) | 520μJ (on), 240μJ (off) |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | Lead Free |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED | - |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Время подъёма макс | - | - | 45ns |
Полярность/Тип канала | - | - | N-CHANNEL |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | - | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | - | - | 7.7V |
Время падения максимальное (tf) | - | - | 40ns |
Корпусировка на излучение | - | - | No |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRGP4740DPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V TO-247 | Для сравнения |
 | IRGP4262D-EPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V 60A 250W TO247AC | Для сравнения |
| IRGP4262DPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V 60A 250W TO247AC | Для сравнения |
 | STGWA30M65DF2 | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins | Для сравнения |