MURS120-13-F Альтернативные части: S1DB-13-F ,ES2B-13-F

MURS120-13-FDiodes Incorporated

В наличии: 2996

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
9.180769 ₽
9.20 ₽
10
8.661099 ₽
86.68 ₽
100
8.170852 ₽
817.03 ₽
500
7.708352 ₽
3,854.12 ₽
1000
7.272033 ₽
7,271.98 ₽

Цена за единицу: 9.180769 ₽

Итоговая цена: 9.20 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иMURS120-13-F	иS1DB-13-F	иES2B-13-F
Производитель:	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated
Описание:	DIODE GEN PURP 200V 1A SMB	DIODE GEN PURP 200V 1A SMB	DIODE GEN PURP 100V 2A SMB
Срок поставки от производителя	12 Weeks	10 Weeks	10 Weeks
Покрытие контактов	Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Stud, Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	DO-214AA, SMB	DO-214AA, SMB	DO-214AA, SMB
Количество контактов	2	2	2
Вес	92.986436mg	92.986436mg	92.986436mg
Материал диодного элемента	SILICON	SILICON	SILICON
Количество элементов	1	1	1
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2011	2009	2011
Код JESD-609	e3	e3	e3
Безоловая кодировка	no	no	no
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	2	2	2
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная рабочая температура	175°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-65°C	-55°C
Применение	EFFICIENCY	-	EFFICIENCY
Капацитивность	60pF	10pF	25pF
Ток постоянного напряжения - номинальный	200V	200V	100V
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	C BEND	C BEND	C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	1A	1A	2A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	40	40
Основной номер части	MURS120	S1D	ES2B
Число контактов	2	2	2
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип диода	Standard	Standard	Standard
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr	2μA @ 200V	5μA @ 200V	5μA @ 100V
Ток выпуска	1A	1A	2A
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If	875mV @ 1A	1.1V @ 1A	920mV @ 2A
Напряжённая мощность	1A	1A	2A
Температура работы - переходная	-55°C~175°C	-65°C~150°C	-55°C~150°C
Максимальный импульсный ток	40A	30A	50A
Напряжение включения	875mV	1.1V	920mV
Максимальное обратное напряжение (постоянное)	200V	200V	100V
Средний выпрямленный ток	1A	1A	2A
Количество фаз	1	-	1
Время обратной рекомпенсации	25 ns	3 μs	25 ns
Пиковая обратная токовая сила	2μA	5μA	5μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)	200V	200V	100V
Емкость @ Vr, Ф	27pF @ 4V 1MHz	10pF @ 4V 1MHz	25pF @ 4V 1MHz
Пиковый нерегулярный импульсный ток	40A	30A	50A
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)	40A	-	-
Время восстановления	25 ns	1.8 μs	25 ns
Обратная напряжение (DC)	200V	200V	100V
Естественное тепловое сопротивление	15 °C/W	-	-
Высота	2.42mm	2.42mm	2.42mm
Длина	4.57mm	4.57mm	4.57mm
Ширина	3.94mm	3.94mm	3.94mm
REACH SVHC	No SVHC	-	-
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Завершение	-	SMD/SMT	SMD/SMT
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика	-	HIGH RELIABILITY	-
Код ТН ВЭД	-	8541.10.00.80	8541.10.00.80

Диоды - Выпрямители - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ESH2D-E3/5BT	Vishay Semiconductor Diodes Division	Диоды - Выпрямители - Одиночные	DO-214AA, SMB	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA	Для сравнения
S1DB-13-F	Diodes Incorporated	Диоды - Выпрямители - Одиночные	DO-214AA, SMB	DIODE GEN PURP 200V 1A SMB	Для сравнения
ES2B-13-F	Diodes Incorporated	Диоды - Выпрямители - Одиночные	DO-214AA, SMB	DIODE GEN PURP 100V 2A SMB	Для сравнения
ES2D-13-F	Diodes Incorporated	Диоды - Выпрямители - Одиночные	DO-214AA, SMB	DIODE GEN PURP 200V 2A SMB	Для сравнения