MURS120-13-F Альтернативные части: ESH2D-E3/5BT ,S1DB-13-F

MURS120-13-FDiodes Incorporated

  • MURS120-13-FDiodes Incorporated
  • ESH2D-E3/5BTVishay Semiconductor Diodes Division
  • S1DB-13-FDiodes Incorporated

В наличии: 2996

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    9.180769 ₽

    9.20 ₽

  • 10

    8.661099 ₽

    86.68 ₽

  • 100

    8.170852 ₽

    817.03 ₽

  • 500

    7.708352 ₽

    3,854.12 ₽

  • 1000

    7.272033 ₽

    7,271.98 ₽

Цена за единицу: 9.180769 ₽

Итоговая цена: 9.20 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
Срок поставки от производителя
12 Weeks
22 Weeks
10 Weeks
Покрытие контактов
Tin
Tin
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
DO-214AA, SMB
DO-214AA, SMB
DO-214AA, SMB
Количество контактов
2
2
2
Вес
92.986436mg
-
92.986436mg
Материал диодного элемента
SILICON
SILICON
SILICON
Количество элементов
1
1
1
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2011
2014
2009
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
no
yes
no
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
2
2
2
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная рабочая температура
175°C
175°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-65°C
Применение
EFFICIENCY
EFFICIENCY
-
Капацитивность
60pF
-
10pF
Ток постоянного напряжения - номинальный
200V
-
200V
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
C BEND
C BEND
C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
1A
-
1A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
30
40
Основной номер части
MURS120
ESH2D
S1D
Число контактов
2
2
2
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Скорость
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Тип диода
Standard
Standard
Standard
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr
2μA @ 200V
2μA @ 200V
5μA @ 200V
Ток выпуска
1A
-
1A
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If
875mV @ 1A
930mV @ 2A
1.1V @ 1A
Напряжённая мощность
1A
2A
1A
Температура работы - переходная
-55°C~175°C
-55°C~175°C
-65°C~150°C
Максимальный импульсный ток
40A
60A
30A
Напряжение включения
875mV
930mV
1.1V
Максимальное обратное напряжение (постоянное)
200V
200V
200V
Средний выпрямленный ток
1A
2A
1A
Количество фаз
1
1
-
Время обратной рекомпенсации
25 ns
25 ns
3 μs
Пиковая обратная токовая сила
2μA
2μA
5μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)
200V
200V
200V
Емкость @ Vr, Ф
27pF @ 4V 1MHz
-
10pF @ 4V 1MHz
Пиковый нерегулярный импульсный ток
40A
60A
30A
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)
40A
-
-
Время восстановления
25 ns
25 ns
1.8 μs
Обратная напряжение (DC)
200V
-
200V
Естественное тепловое сопротивление
15 °C/W
-
-
Высота
2.42mm
2.24mm
2.42mm
Длина
4.57mm
4.57mm
4.57mm
Ширина
3.94mm
3.94mm
3.94mm
REACH SVHC
No SVHC
-
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Lead Free
Дополнительная Характеристика
-
FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
HIGH RELIABILITY
Код ТН ВЭД
-
8541.10.00.80
8541.10.00.80
Выводная мощность-макс
-
2A
-
Обратная напряжение
-
200V
-
Завершение
-
-
SMD/SMT
Конечная обработка контакта
-
-
Matte Tin (Sn)