MURS120-13-F Альтернативные части: ES2D-13-F ,ESH2D-E3/5BT

MURS120-13-FDiodes Incorporated

  • MURS120-13-FDiodes Incorporated
  • ES2D-13-FDiodes Incorporated
  • ESH2D-E3/5BTVishay Semiconductor Diodes Division

В наличии: 2996

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    9.180769 ₽

    9.20 ₽

  • 10

    8.661099 ₽

    86.68 ₽

  • 100

    8.170852 ₽

    817.03 ₽

  • 500

    7.708352 ₽

    3,854.12 ₽

  • 1000

    7.272033 ₽

    7,271.98 ₽

Цена за единицу: 9.180769 ₽

Итоговая цена: 9.20 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
DIODE GEN PURP 200V 1A SMB
DIODE GEN PURP 200V 2A SMB
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
Срок поставки от производителя
12 Weeks
10 Weeks
22 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
Tin
Монтаж
Surface Mount
Stud, Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
DO-214AA, SMB
DO-214AA, SMB
DO-214AA, SMB
Количество контактов
2
2
2
Вес
92.986436mg
92.986436mg
-
Материал диодного элемента
SILICON
SILICON
SILICON
Количество элементов
1
1
1
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2011
2010
2014
Код JESD-609
e3
e3
e3
Безоловая кодировка
no
no
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
2
2
2
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная рабочая температура
175°C
150°C
175°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-55°C
Применение
EFFICIENCY
EFFICIENCY
EFFICIENCY
Капацитивность
60pF
25pF
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
200V
200V
-
Положение терминала
DUAL
DUAL
DUAL
Форма вывода
C BEND
C BEND
C BEND
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
1A
2A
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
40
40
30
Основной номер части
MURS120
ES2D
ESH2D
Число контактов
2
2
2
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Скорость
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип диода
Standard
Standard
Standard
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr
2μA @ 200V
5μA @ 200V
2μA @ 200V
Ток выпуска
1A
2A
-
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If
875mV @ 1A
920mV @ 2A
930mV @ 2A
Напряжённая мощность
1A
2A
2A
Температура работы - переходная
-55°C~175°C
-55°C~150°C
-55°C~175°C
Максимальный импульсный ток
40A
50A
60A
Напряжение включения
875mV
920mV
930mV
Максимальное обратное напряжение (постоянное)
200V
200V
200V
Средний выпрямленный ток
1A
2A
2A
Количество фаз
1
1
1
Время обратной рекомпенсации
25 ns
25 ns
25 ns
Пиковая обратная токовая сила
2μA
5μA
2μA
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм)
200V
200V
200V
Емкость @ Vr, Ф
27pF @ 4V 1MHz
25pF @ 4V 1MHz
-
Пиковый нерегулярный импульсный ток
40A
50A
60A
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm)
40A
-
-
Время восстановления
25 ns
25 ns
25 ns
Обратная напряжение (DC)
200V
200V
-
Естественное тепловое сопротивление
15 °C/W
20 °C/W
-
Высота
2.42mm
2.42mm
2.24mm
Длина
4.57mm
4.57mm
4.57mm
Ширина
3.94mm
3.94mm
3.94mm
REACH SVHC
No SVHC
-
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
-
Завершение
-
SMD/SMT
-
Конечная обработка контакта
-
Matte Tin (Sn)
-
Код ТН ВЭД
-
8541.10.00.80
8541.10.00.80
Дополнительная Характеристика
-
-
FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
Выводная мощность-макс
-
-
2A
Обратная напряжение
-
-
200V