Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MUN5330DW1T1G Альтернативные части: MUN5230DW1T1G ,MUN5311DW1T1G
MUN5330DW1T1GON Semiconductor
В наличии: 910
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
4.102335 ₽
4.12 ₽
10
3.870124 ₽
38.74 ₽
100
3.651058 ₽
365.11 ₽
500
3.444396 ₽
1,722.25 ₽
1000
3.249437 ₽
3,249.45 ₽
Цена за единицу: 4.102335 ₽
Итоговая цена: 4.12 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 8 Weeks | 8 Weeks |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Поверхностный монтаж | YES | YES | YES |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 3 | 3 | 35 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2005 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 50V | 50V |
Максимальная потеря мощности | 250mW | 250mW | 250mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Моментальный ток | 100mA | 100mA | 100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 | 40 |
Основной номер части | MUN53**DW1 | MUN52**DW1T | MUN53**DW1 |
Число контактов | 6 | 6 | 6 |
Максимальный выходной ток | 100mA | 100mA | 100mA |
Входной напряжение питания | 50V | 50V | 50V |
Направленность | NPN, PNP | NPN | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Распад мощности | 187mW | 187mW | 187mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 3 @ 5mA 10V | 3 @ 5mA 10V | 35 @ 5mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA | 250mV @ 5mA, 10mA | 250mV @ 300μA, 10mA |
Максимальная частота | 10kHz | 10kHz | - |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V | 50V |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 50V | 50V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6V | 6V | - |
База (R1) | 1k Ω | 1k Ω | 10k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 100mA | 100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 1k Ω | 1k Ω | 10k Ω |
Высота | 1mm | 1mm | 900μm |
Длина | 2.2mm | 2.2mm | 2mm |
Ширина | 1.35mm | 1.35mm | 1.25mm |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin | Tin |
Без галогенов | - | Halogen Free | Halogen Free |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Код ТН ВЭД | - | - | 8541.21.00.95 |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MUN5311DW1T1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | Для сравнения |
 | MUN5314DW1T1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | Для сравнения |
| MUN5230DW1T1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | Для сравнения |