Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
MUN5311DW1T1G Альтернативные части: MUN5111DW1T1G
MUN5311DW1T1GON Semiconductor
В наличии: 5542
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
6.698214 ₽
6.73 ₽
10
6.319066 ₽
63.19 ₽
100
5.961387 ₽
596.15 ₽
500
5.623956 ₽
2,811.95 ₽
1000
5.305618 ₽
5,305.63 ₽
Цена за единицу: 6.698214 ₽
Итоговая цена: 6.73 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) | ACTIVE (Last Updated: 4 hours ago) |
Срок поставки от производителя | 8 Weeks | 8 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | Tin |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Поверхностный монтаж | YES | YES |
Количество контактов | 6 | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 35 | 35 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2006 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 1 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.95 | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | -50V |
Максимальная потеря мощности | 250mW | 250mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 100mA | -100mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | 40 |
Основной номер части | MUN53**DW1 | MUN51**DW1T |
Число контактов | 6 | 6 |
Максимальный выходной ток | 100mA | 100mA |
Входной напряжение питания | 50V | 50V |
Направленность | NPN, PNP | PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 187mW | 250mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Без галогенов | Halogen Free | Halogen Free |
Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 50V | 50V |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 35 @ 5mA 10V | 35 @ 5mA 10V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 250mV @ 300μA, 10mA | 250mV @ 300μA, 10mA |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
База (R1) | 10k Ω | 10k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | -100mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10k Ω | 10k Ω |
Высота | 900μm | 900μm |
Длина | 2mm | 2mm |
Ширина | 1.25mm | 1.25mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MUN5211DW1T1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | Для сравнения |
| MUN5330DW1T1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | Для сравнения |
| MUN5111DW1T1G | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 | Для сравнения |